Infineon 2 Typ P Kanal Dubbel N, OptiMOSTM2 småsignaltransistorer, 0.88 A 20 V Dubbel N, 6 Ben, SOT-363, BSD840N
- RS-artikelnummer:
- 250-0526
- Tillv. art.nr:
- BSD840NH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
29,46 kr
(exkl. moms)
36,82 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 220 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 2,946 kr | 29,46 kr |
| 100 - 240 | 2,811 kr | 28,11 kr |
| 250 - 490 | 1,904 kr | 19,04 kr |
| 500 - 990 | 1,77 kr | 17,70 kr |
| 1000 + | 1,344 kr | 13,44 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 250-0526
- Tillv. art.nr:
- BSD840NH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | OptiMOSTM2 småsignaltransistorer | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 0.88A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Serie | BSD840N | |
| Kapseltyp | SOT-363 | |
| Antal ben | 6 | |
| Kanalläge | Dubbel N | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 8V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.26nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 400mW | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel N | |
| Standarder/godkännanden | IEC61249-2-21, RoHS | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp OptiMOSTM2 småsignaltransistorer | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 0.88A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Serie BSD840N | ||
Kapseltyp SOT-363 | ||
Antal ben 6 | ||
Kanalläge Dubbel N | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 8V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.26nC | ||
Maximal effektförlust Pd 400mW | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dubbel N | ||
Standarder/godkännanden IEC61249-2-21, RoHS | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineons Small Signal n-kanalprodukter är lämpliga för fordonstillämpningar. Denna enhet är OptiMOS 2 Small-Signal-transistor. Dubbel N-kanal, förstärkningsläge. Enheten erbjuder Ultra Logic-nivå (klassad för 1,8 V) och den är Avalanche-klassad.
Förbättringsläge och blyfri plätering
Vds är 20 V och Id är 0,88 A
Relaterade länkar
- Infineon 2 Typ P Kanal Dubbel N, OptiMOSTM2 småsignaltransistorer, 0.88 A 20 V Dubbel N, 6 Ben, SOT-363, BSD840N
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET 60 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363
- Toshiba 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 250 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N, Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 800 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, DMC3401 AEC-Q200, AEC-Q104,
- Vishay 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 850 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, TrenchFET AEC-Q101
- DiodesZetex 1 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 1 A 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, DMN3190LDWQ AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ P Kanal Dubbel, MOSFET 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363