DiodesZetex 1 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 1 A 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, DMN3190LDWQ AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 50 enheter)*

197,95 kr

(exkl. moms)

247,45 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 17 600 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
50 - 503,959 kr197,95 kr
100 - 2003,463 kr173,15 kr
250 - 4503,396 kr169,80 kr
500 - 9503,073 kr153,65 kr
1000 +2,771 kr138,55 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
213-9186
Tillv. art.nr:
DMN3190LDWQ-7
Tillverkare / varumärke:
DiodesZetex
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

DiodesZetex

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

1A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Serie

DMN3190LDWQ

Kapseltyp

SOT-363

Fästetyp

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

0.19Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

0.4W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

0.9nC

Transistorkonfiguration

Dubbel

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

2.15mm

Standarder/godkännanden

UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020

Bredd

2.1 mm

Höjd

0.95mm

Antal element per chip

1

Fordonsstandard

AEC-Q101

The DiodesZetex DMN3190LDWQ series MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications.

Low input capacitance

Fast switching speed