DiodesZetex 1 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 1 A 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, DMN3190LDWQ AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 213-9186
- Tillv. art.nr:
- DMN3190LDWQ-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 50 enheter)*
197,95 kr
(exkl. moms)
247,45 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 17 600 enhet(er) från den 28 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 3,959 kr | 197,95 kr |
| 100 - 200 | 3,463 kr | 173,15 kr |
| 250 - 450 | 3,396 kr | 169,80 kr |
| 500 - 950 | 3,073 kr | 153,65 kr |
| 1000 + | 2,771 kr | 138,55 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 213-9186
- Tillv. art.nr:
- DMN3190LDWQ-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SOT-363 | |
| Serie | DMN3190LDWQ | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.19Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 0.4W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.9nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Standarder/godkännanden | UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020 | |
| Höjd | 0.95mm | |
| Längd | 2.15mm | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SOT-363 | ||
Serie DMN3190LDWQ | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.19Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 0.4W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.9nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Standarder/godkännanden UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020 | ||
Höjd 0.95mm | ||
Längd 2.15mm | ||
Antal element per chip 1 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The DiodesZetex DMN3190LDWQ series MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications.
Low input capacitance
Fast switching speed
Relaterade länkar
- DiodesZetex 1 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 1 A 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, DMN3190LDWQ AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 250 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex 1 Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 550 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, DMP31 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ P Kanal Dubbel, MOSFET 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET 60 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363
- DiodesZetex Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 261 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, 2N7002 AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100
- DiodesZetex Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 800 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, DMN AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 217 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, DMN AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200