DiodesZetex 2 Typ N, Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 800 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, DMC3401 AEC-Q200, AEC-Q104,

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 50 enheter)*

96,25 kr

(exkl. moms)

120,30 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 800 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
50 +1,925 kr96,25 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
206-0063
Tillv. art.nr:
DMC3401LDW-7
Tillverkare / varumärke:
DiodesZetex
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

DiodesZetex

Kanaltyp

Typ N, Typ P

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

800mA

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

SOT-363

Serie

DMC3401

Typ av fäste

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

700mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

0.5nC

Maximal effektförlust Pd

0.4W

Framåtriktad spänning Vf

0.7V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Transistorkonfiguration

Dubbel

Standarder/godkännanden

No

Längd

2.15mm

Höjd

0.95mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

AEC-Q200, AEC-Q104, AEC-Q100, AEC-Q101

COO (ursprungsland):
CN
DiodesZetex 30 V komplementärt parförstärkningsläge MOSFET är utformad för att minimera påslagningsresistansen samtidigt som den upprätthåller överlägsen omkopplingsprestanda, vilket gör den idealisk för högeffektiva strömhanteringstillämpningar. Grindkällans spänning är 20 V med 0,29 W termisk effektförlust.

Låg ingångskapacitans

Snabb kopplingshastighet

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.