DiodesZetex 2 Typ N, Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 800 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, DMC3401 AEC-Q200, AEC-Q104,
- RS-artikelnummer:
- 206-0063
- Tillv. art.nr:
- DMC3401LDW-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (1 förpackning med 50 enheter)*
96,25 kr
(exkl. moms)
120,30 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 800 enhet(er) från den 05 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 50 + | 1,925 kr | 96,25 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 206-0063
- Tillv. art.nr:
- DMC3401LDW-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | Typ N, Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 800mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SOT-363 | |
| Serie | DMC3401 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 700mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.5nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 0.4W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.7V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 1.3mm | |
| Höjd | 0.95mm | |
| Längd | 2.15mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q200, AEC-Q104, AEC-Q100, AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp Typ N, Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 800mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SOT-363 | ||
Serie DMC3401 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 700mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.5nC | ||
Maximal effektförlust Pd 0.4W | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.7V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 1.3mm | ||
Höjd 0.95mm | ||
Längd 2.15mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard AEC-Q200, AEC-Q104, AEC-Q100, AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
DiodesZetex 30 V komplementärt parförstärkningsläge MOSFET är utformad för att minimera påslagningsresistansen samtidigt som den upprätthåller överlägsen omkopplingsprestanda, vilket gör den idealisk för högeffektiva strömhanteringstillämpningar. Grindkällans spänning är 20 V med 0,29 W termisk effektförlust.
Låg ingångskapacitans
Snabb kopplingshastighet
Relaterade länkar
- DiodesZetex 2 Typ N, Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 800 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, DMC3401 AEC-Q200, AEC-Q104,
- DiodesZetex 1 Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 550 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, DMP31 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ P Kanal Dubbel, MOSFET 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 10.4 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, ZXMP6A18K AEC-Q200, AEC-Q104, AEC-Q100,
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 4.3 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, ZXMP6A17G AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q104,
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 3.7 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, ZXMP10A18G AEC-Q104, AEC-Q200, AEC-Q101,
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 75 mA 450 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223 AEC-Q104, AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 230 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, E-Line AEC-Q101, AEC-Q104, AEC-Q100, AEC-Q200