Infineon 2 Typ P Kanal Dubbel N, OptiMOSTM2 småsignaltransistorer, 0.88 A 20 V Dubbel N, 6 Ben, SOT-363, BSD840N
- RS-artikelnummer:
- 250-0525
- Tillv. art.nr:
- BSD840NH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
2 379,00 kr
(exkl. moms)
2 973,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 12 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,793 kr | 2 379,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 250-0525
- Tillv. art.nr:
- BSD840NH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | OptiMOSTM2 småsignaltransistorer | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 0.88A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | SOT-363 | |
| Serie | BSD840N | |
| Antal ben | 6 | |
| Kanalläge | Dubbel N | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 8 V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.26nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 400mW | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel N | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | IEC61249-2-21, RoHS | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp OptiMOSTM2 småsignaltransistorer | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 0.88A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp SOT-363 | ||
Serie BSD840N | ||
Antal ben 6 | ||
Kanalläge Dubbel N | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 8 V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.26nC | ||
Maximal effektförlust Pd 400mW | ||
Transistorkonfiguration Dubbel N | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden IEC61249-2-21, RoHS | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The Infineon Small Signal n-channel products are suitable for automotive applications. This device is OptiMOS 2 Small-Signal-Transistor. The Dual N-channel, Enhancement mode. The device offers Ultra Logic level (1.8V rated) and it is Avalanche rated.
Enhancement mode and Pb-free lead plating
Vds is 20 V and Id is 0.88 A
Relaterade länkar
- Infineon 2 Typ P Kanal Dubbel N, OptiMOSTM2 småsignaltransistorer, 0.88 A 20 V Dubbel N, 6 Ben, SOT-363, BSD840N
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET 60 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363
- Toshiba 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 250 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N, Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 800 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, DMC3401 AEC-Q200, AEC-Q104,
- Vishay 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 850 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, TrenchFET AEC-Q101
- DiodesZetex 1 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 1 A 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, DMN3190LDWQ AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ P Kanal Dubbel, MOSFET 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363