DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 900 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, X1-DFN, DMN AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 246-7511
- Tillv. art.nr:
- DMN2310UFD-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 25 enheter)*
13,65 kr
(exkl. moms)
17,05 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 875 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,546 kr | 13,65 kr |
| 50 - 75 | 0,542 kr | 13,55 kr |
| 100 - 225 | 0,444 kr | 11,10 kr |
| 250 - 975 | 0,43 kr | 10,75 kr |
| 1000 + | 0,421 kr | 10,53 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 246-7511
- Tillv. art.nr:
- DMN2310UFD-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 900mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | X1-DFN | |
| Serie | DMN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.6mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 890mW | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 12V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.7nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 1.25mm | |
| Höjd | 530μm | |
| Längd | 1.25mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 900mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp X1-DFN | ||
Serie DMN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.6mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 890mW | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 12V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.7nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 1.25mm | ||
Höjd 530μm | ||
Längd 1.25mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
DiodesZetex gör en MOSFET med dubbelt N-kanalförstärkningsläge, utformad för att minimera påslagningsresistansen (RDS(ON)) samtidigt som den upprätthåller överlägsen omkopplingsprestanda, vilket gör den idealisk för högeffektiva strömhanteringstillämpningar. Det är en grön enhet som är helt fri från bly, halogen och antimon. Denna MOSFET levereras i U-DFN1212-3-förpackning. Den erbjuder snabb omkoppling och hög effektivitet. Dess 100 % oklämda induktiva omkoppling säkerställer mer tillförlitlig och robust slutanvändning.
Maximal dränering till källspänning är 20 V och maximal grind till källspänning är ±8 V. Den erbjuder en ultraliten kapslingsstorlek. Den har låg in-/utgångsläckage
Relaterade länkar
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 900 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, X1-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 1.4 A 12 V Förbättring, 3 Ben, X1-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 407 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, X1-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 500 mA 12 V Förbättring, 3 Ben, X2-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 1 A 20 V Förbättring, 3 Ben, X2-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 1.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, X2-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 900 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 192 mA 65 V Förbättring, 3 Ben, X1-DFN, DMP AEC-Q101