DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 1.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, X2-DFN, DMN AEC-Q101

Antal (1 förpackning med 50 enheter)*

145,80 kr

(exkl. moms)

182,25 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 3 400 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
50 +2,916 kr145,80 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
770-5128
Tillv. art.nr:
DMN2300UFB4-7B
Tillverkare / varumärke:
DiodesZetex
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

DiodesZetex

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

1.3A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Serie

DMN

Kapseltyp

X2-DFN

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

500mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

0.7V

Maximal effektförlust Pd

500mW

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

1.6nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

8V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

0.35mm

Längd

1.05mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

0.65mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
CN

N-kanal MOSFET, 12 V till 28 V, Diodes Inc


MOSFET-transistorer, inbyggda dioder


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.