DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 500 mA 12 V Förbättring, 3 Ben, X2-DFN, DMN AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 165-8375
- Tillv. art.nr:
- DMN1260UFA-7B
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (10000 enheter, på en rulle med 10000)*
5 890,00 kr
(exkl. moms)
7 360,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- Leverans från den 20 oktober 2027
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 10000 + | 0,589 kr | 5 890,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 165-8375
- Tillv. art.nr:
- DMN1260UFA-7B
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 500mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 12V | |
| Kapseltyp | X2-DFN | |
| Serie | DMN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.96nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 360mW | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -8, +8V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 0.65mm | |
| Höjd | 0.35mm | |
| Bredd | 0.85mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 500mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 12V | ||
Kapseltyp X2-DFN | ||
Serie DMN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.96nC | ||
Maximal effektförlust Pd 360mW | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -8, +8V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 0.65mm | ||
Höjd 0.35mm | ||
Bredd 0.85mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
N-kanal MOSFET, 12 V till 28 V, Diodes Inc
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 500 mA 12 V Förbättring, 3 Ben, X2-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 1.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, X2-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 1 A 20 V Förbättring, 3 Ben, X2-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 1.4 A 12 V Förbättring, 3 Ben, X1-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 407 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, X1-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 540 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, X2-DFN, DMN2991UFO AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 410 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, X2-DFN, DMN31D5UFO AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 200 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, X2-DFN, DMP AEC-Q101
