DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 407 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, X1-DFN, DMN AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 182-7128
- Tillv. art.nr:
- DMN62D1LFB-7B
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (1 förpackning med 100 enheter)*
155,90 kr
(exkl. moms)
194,90 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 19 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 100 + | 1,559 kr | 155,90 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 182-7128
- Tillv. art.nr:
- DMN62D1LFB-7B
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 407mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | DMN | |
| Kapseltyp | X1-DFN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.45nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 500mW | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 0.67mm | |
| Längd | 1.07mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 0.48mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 407mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie DMN | ||
Kapseltyp X1-DFN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.45nC | ||
Maximal effektförlust Pd 500mW | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 0.67mm | ||
Längd 1.07mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 0.48mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Denna nya generation MOSFET är utformad för att minimera på-motståndet (RDS(ON)) och ändå bibehålla överlägsen omkopplingsprestanda, vilket gör den idealisk för högeffektiva strömhanteringstillämpningar.
Lågt motstånd vid tändning
Låg ingångskapacitans
Snabb växlingshastighet
Lågt ingångs-/utgångsläckage
ESD-skyddad
Helt blyfri
Halogen- och antimonfri. Grön enhet
Användning
Lastväxlare
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 407 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, X1-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 1.4 A 12 V Förbättring, 3 Ben, X1-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 0.9 A 20 V Förbättring, 3 Ben, X1-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 500 mA 12 V Förbättring, 3 Ben, X2-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 1.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, X2-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 1 A 20 V Förbättring, 3 Ben, X2-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 192 mA 65 V Förbättring, 3 Ben, X1-DFN, DMP AEC-Q101
- AEC-Q101 DiodesZetex Diod Avalanche, Enkel, 40 V, 3.3 ns, 200 mA, 2 Ben X1-DFN
