DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 900 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, X1-DFN, DMN AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 246-6794
- Tillv. art.nr:
- DMN2310UFD-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
2 217,00 kr
(exkl. moms)
2 772,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 24 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,739 kr | 2 217,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 246-6794
- Tillv. art.nr:
- DMN2310UFD-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 900mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Serie | DMN | |
| Kapseltyp | X1-DFN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.6mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 12V | |
| Maximal effektförlust Pd | 890mW | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.7nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 1.25mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 1.25mm | |
| Höjd | 530μm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 900mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Serie DMN | ||
Kapseltyp X1-DFN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.6mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 12V | ||
Maximal effektförlust Pd 890mW | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.7nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 1.25mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 1.25mm | ||
Höjd 530μm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
DiodesZetex gör en MOSFET med dubbelt N-kanalförstärkningsläge, utformad för att minimera påslagningsresistansen (RDS(ON)) samtidigt som den upprätthåller överlägsen omkopplingsprestanda, vilket gör den idealisk för högeffektiva strömhanteringstillämpningar. Det är en grön enhet som är helt fri från bly, halogen och antimon. Denna MOSFET levereras i U-DFN1212-3-förpackning. Den erbjuder snabb omkoppling och hög effektivitet. Dess 100 % oklämda induktiva omkoppling säkerställer mer tillförlitlig och robust slutanvändning.
Maximal dränering till källspänning är 20 V och maximal grind till källspänning är ±8 V. Den erbjuder en ultraliten kapslingsstorlek. Den har låg in-/utgångsläckage
Relaterade länkar
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 900 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, X1-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 1.4 A 12 V Förbättring, 3 Ben, X1-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 407 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, X1-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 500 mA 12 V Förbättring, 3 Ben, X2-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 1 A 20 V Förbättring, 3 Ben, X2-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 1.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, X2-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 900 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 192 mA 65 V Förbättring, 3 Ben, X1-DFN, DMP AEC-Q101