DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 900 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, DMN AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 222-2832
- Tillv. art.nr:
- DMN2710UW-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Få en mängdrabatt
Lägg till 9000 till för att spara 495,00 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 3000 enheter)*
1 629,00 kr
(exkl. moms)
2 037,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 06 december 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 3000 - 6000 | 0,543 kr | 1 629,00 kr | - |
| 9000 - 42000 | 0,488 kr | 1 464,00 kr | 495,00 kr |
| 45000 + | 0,434 kr | 1 302,00 kr | 4 905,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-2832
- Tillv. art.nr:
- DMN2710UW-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 900mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | SOT-323 | |
| Serie | DMN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 450mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 0.6W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 6V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 2.2mm | |
| Bredd | 1.35mm | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 900mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp SOT-323 | ||
Serie DMN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 450mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 0.6W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.6nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 6V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 2.2mm | ||
Bredd 1.35mm | ||
Höjd 1.1mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
DiodesZetex N-kanalförstärkningsläge MOSFET är utformad för att minimera påslagningsresistansen (RDS(ON)) samtidigt som den upprätthåller överlägsen omkopplingsprestanda, vilket gör den idealisk för högeffektiva strömhanteringstillämpningar.
Lågt motstånd vid tändning
Låg ingångskapacitans
Snabb växlingshastighet
Helt blyfri och helt RoHS-kompatibel
Relaterade länkar
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 900 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 1.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 900 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, X1-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 8 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 5.8 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 2.9 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 15.4 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 4.2 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMN AEC-Q101