Infineon N Kanal, MOSFET, 24 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 243-9338
- Tillv. art.nr:
- IAUC24N10S5L300ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
84,67 kr
(exkl. moms)
105,84 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 355 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 16,934 kr | 84,67 kr |
| 50 - 120 | 15,21 kr | 76,05 kr |
| 125 - 245 | 14,404 kr | 72,02 kr |
| 250 - 495 | 13,396 kr | 66,98 kr |
| 500 + | 12,342 kr | 61,71 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 243-9338
- Tillv. art.nr:
- IAUC24N10S5L300ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 24A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | IAUC | |
| Kapseltyp | SuperSO8 5 x 6 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.4mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 24A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie IAUC | ||
Kapseltyp SuperSO8 5 x 6 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.4mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon IAUC-serien MOSFET, 100 V maximal drain-källspänning, 24 A maximal kontinuerlig drain-ström – IAUC24N10S5L300ATMA1
Denna MOSFET är en högspänningsswitch med N-kanal avsedd för strömhanteringsroller i kompakta ytmonterade enheter. Den fungerar över ett utökat temperaturområde och är lämplig för tillämpningar som kräver låg påslagningsresistans och betydande kontinuerlig dräneringsströmkapacitet i ytmonterade kapslingar.
Funktioner och fördelar:
• 1.4 mΩ RDS(on) ger minskade ledningsförluster under belastning
• Kontinuerlig dräneringsström på 24 A stöder kontinuerlig strömförsörjning
• 100 V drain-source-klassning möjliggör högspänningsomkopplingsuppgifter
• 81 W effektförlust hanterar termisk belastning i trånga layouter
• 80 nC typisk grindladdning möjliggör kontrollerad omkoppling för omvandlare
• 20 V gate-source-klassning möjliggör robust gate-drivenheadroom
• Kontinuerlig dräneringsström på 24 A stöder kontinuerlig strömförsörjning
• 100 V drain-source-klassning möjliggör högspänningsomkopplingsuppgifter
• 81 W effektförlust hanterar termisk belastning i trånga layouter
• 80 nC typisk grindladdning möjliggör kontrollerad omkoppling för omvandlare
• 20 V gate-source-klassning möjliggör robust gate-drivenheadroom
Användningsområden
• Lämplig för omkopplingssteg i DC/DC-omvandlare i strömskenor
• Idealisk för effektregleringsmoduler för fordon som kräver AEC‐Q101
• Används med högspänningsmotordrivare och boostkretsar
• Kan användas för kompakta ytmonterade nätaggregat
• Lämplig för omkoppling av högströmslaster i inbäddade system
• Idealisk för effektregleringsmoduler för fordon som kräver AEC‐Q101
• Används med högspänningsmotordrivare och boostkretsar
• Kan användas för kompakta ytmonterade nätaggregat
• Lämplig för omkoppling av högströmslaster i inbäddade system
Vilka termiska extremer tål den under drift?
Den är specifik för drift från -55 °C upp till 175 °C.
Vilken monteringsform bör designers planera för?
Den levereras i ett SuperSO8 5x6 ytmonterat paket för kretskortsmontering.
Vilken kanalpolaritet och vilket läge använder den?
Det är en N-kanal-enhet som drivs i förstärkningsläge.
Uppfyller den de vanliga miljödirektiven?
Den uppfyller RoHS-kraven.
Vilka framspänningsegenskaper kan påverka lågspänningsdesigner?
Den typiska framspänningen är 1,1 V, vilket påverkar beräkningarna av ledningsfall.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, IAUC AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, IAUC AEC-Q101