Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 273 A 100 V N, 3 Ben, TO-263, iPB

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

29 860,00 kr

(exkl. moms)

37 320,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +29,86 kr29 860,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
242-5818
Tillv. art.nr:
IPB048N15N5ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

273A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Serie

iPB

Kapseltyp

TO-263

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.7mΩ

Kanalläge

N

Maximal effektförlust Pd

81W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

80nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

Infineons MOSFET är särskilt lämplig för lågspänningsdrivkretsar som gaffeltruckar och e-scooter, samt telekom- och solenergiapplikationer. Produkterna erbjuder en genombrottsreducering av R DS(on) (upp till 25 % jämfört med nästa bästa alternativ i SuperSO8) och Q rr utan att kompromissa med FOM gd och FOM OSS, vilket effektivt minskar designansträngningen samtidigt som systemets effektivitet optimeras.

Lägre R DS(on) utan att kompromissa med FOMgd och FOMoss

Lägre utgångsladdning

Ultralåg omvänd återställningsladd (Q rr = 26 nC i SuperSO8)

175 °C drifttemperatur

Blyfri plätering

RoHS-kompatibel

Drain-source-överspänning 150 V

Maximal avtappningsström 120 A

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.