Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 273 A 100 V P, 3 Ben, TO-263, iPB
- RS-artikelnummer:
- 243-9265
- Tillv. art.nr:
- IPB020N08N5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 1000 enheter)*
22 670,00 kr
(exkl. moms)
28 340,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 21 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | 22,67 kr | 22 670,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 243-9265
- Tillv. art.nr:
- IPB020N08N5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 273A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.7mΩ | |
| Kanalläge | P | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 273A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.7mΩ | ||
Kanalläge P | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons N-kanals effekt-MOSFET är idealisk för högfrekvensomkoppling. Den har en utmärkt grindladdningsprodukt (FOM). Den levereras vanligtvis i D2PAK-förpackningssystem. Drain-strömmen och drain-källspänningen för effekt-MOSFET är 173 A respektive 80 V
300 W effektförlust
Ytmontering
Optimerad för synkron likriktare
Minskning av utgångskapacitet med upp till 44 %
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 273 A 100 V P, 3 Ben, TO-263, iPB
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 273 A 100 V N, 3 Ben, TO-263, iPB
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 273 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 273 A 100 V N, 7 Ben, TO-263, iPB
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 273 A 100 V N, 3 Ben, TO-263, iPB
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 273 A 100 V N, 3 Ben, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 273 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 135 A 100 V P, TO-263, iPB