Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 273 A 100 V N, 3 Ben, TO-263, iPB
- RS-artikelnummer:
- 243-9268
- Tillv. art.nr:
- IPB110P06LMATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
53,65 kr
(exkl. moms)
67,06 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 313 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 53,65 kr |
| 10 - 24 | 50,96 kr |
| 25 - 49 | 49,84 kr |
| 50 - 99 | 46,48 kr |
| 100 + | 43,46 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 243-9268
- Tillv. art.nr:
- IPB110P06LMATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 273A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.7mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 273A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.7mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon iPB-serien MOSFET, 100 V maximal drain-källspänning, 273 A maximal kontinuerlig drain-ström – IPB110P06LMATMA1
Denna MOSFET är en P-kanal-halvledaromkopplare som är utformad för tillämpningar med hög ström och hög spänning, levererad i en TO-263-kapsel för ytmontering. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är lämplig för strömomvandling och omkopplingsuppgifter där värmetolerans och kompakt montering krävs.
Funktioner och fördelar:
• Mycket låg påslagningsresistans möjliggör minskade ledningsförluster
• Hög kontinuerlig dräneringsström stöder hantering av tung belastning
• 100 V drain-source-klassning möjliggör användning av högre spänning
• 81 W effektförlust ger robust termisk kapacitet
• 80 nC typisk grindladdning möjliggör responsiv omkoppling
• RoHS-överensstämmelse minimerar innehållet av farliga ämnen
• Hög kontinuerlig dräneringsström stöder hantering av tung belastning
• 100 V drain-source-klassning möjliggör användning av högre spänning
• 81 W effektförlust ger robust termisk kapacitet
• 80 nC typisk grindladdning möjliggör responsiv omkoppling
• RoHS-överensstämmelse minimerar innehållet av farliga ämnen
Användningsområden
• Lämplig för synkronlikriktelse i nätaggregat
• Användbar i nedströms steg för motordrivenheter som kräver hög ström
• Kan användas för högspännings-DC-DC-omvandlaromkopplare
• Idealisk för kompakta ytmonterade strömmoduler
• Används för snabb omkoppling i miljöer med transientbelastning
• Användbar i nedströms steg för motordrivenheter som kräver hög ström
• Kan användas för högspännings-DC-DC-omvandlaromkopplare
• Idealisk för kompakta ytmonterade strömmoduler
• Används för snabb omkoppling i miljöer med transientbelastning
Vilka gränsspänningsgränser måste iakttas under användning?
Gate-source-spänningen får inte överstiga ±20 V för att undvika att skada grindstrukturen.
Hur påverkar temperaturområdet distributionsalternativen?
Enheten fungerar från -55 °C till 175 °C, vilket möjliggör användning i både kalla start- och förhöjda temperaturförhållanden.
Vilka monteringsöverväganden gäller för termisk prestanda?
Använd lämpliga värmedytor för kretskort och värmeavledande med TO-263-fotavtryck för att hantera 81 W-förlusten.
Hur påverkar kanaltypen kretspolariteten?
Som en P-kanalenhet kräver den lämpliga polaritetsarrangemang för hög-side-switchkonfigurationer.
Vilket omkopplingsbeteende indikeras av dess framspänning?
En framåtriktad spänning på 1,1 V återspeglar dess ledningsegenskaper under specificerade driv- och belastningsförhållanden.
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 273 A 100 V N, 3 Ben, TO-263, iPB
- Infineon N Kanal, MOSFET, 273 A 100 V P, 3 Ben, TO-263, iPB
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 273 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 273 A 100 V N, 3 Ben, TO-263, iPB
- Infineon N Kanal, MOSFET, 273 A 100 V N, 7 Ben, TO-263, iPB
- Infineon N Kanal, MOSFET, 273 A 100 V N, 3 Ben, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 273 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 135 A 100 V P, TO-263, iPB