Infineon N Kanal, MOSFET, 273 A 100 V N, 7 Ben, TO-263, iPB
- RS-artikelnummer:
- 242-5817
- Tillv. art.nr:
- IPB017N10N5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
67,31 kr
(exkl. moms)
84,14 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 753 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 67,31 kr |
| 10 - 24 | 63,95 kr |
| 25 - 49 | 61,38 kr |
| 50 - 99 | 58,58 kr |
| 100 + | 54,43 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 242-5817
- Tillv. art.nr:
- IPB017N10N5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 273A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.7mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 273A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.7mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon iPB-serien MOSFET, 100 V maximal drain-källspänning, 273 A maximal kontinuerlig drain-ström – IPB017N10N5ATMA1
Denna MOSFET är en högströms N-kanalsomkopplingsenhet som är utformad för ytmonterade strömtillämpningar. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är avsedd för krävande industri- och kraftomvandlingsmiljöer där robust strömhantering och termisk motståndskraft krävs.
Funktioner och fördelar:
• Låg påslagningsresistans ger minimala ledningsförluster och förbättrad effektivitet
• Hög kontinuerlig dräneringsström möjliggör kontinuerlig drift vid hög belastning
• 100 V avtappningsklassning stöder vanliga mellanspänningstopologier
• 81 W effektförlust möjliggör högre effektflöde i kompakta kapslingar
• 80 nC typisk grindladdning stöder responsiv omkoppling i omvandlare
• 20 V gate-klassning möjliggör bred gate-drivspänningsflexibilitet
• Hög kontinuerlig dräneringsström möjliggör kontinuerlig drift vid hög belastning
• 100 V avtappningsklassning stöder vanliga mellanspänningstopologier
• 81 W effektförlust möjliggör högre effektflöde i kompakta kapslingar
• 80 nC typisk grindladdning stöder responsiv omkoppling i omvandlare
• 20 V gate-klassning möjliggör bred gate-drivspänningsflexibilitet
Användningsområden
• Lämplig för högströms-DC-DC-strömomvandlare
• Idealisk för synkron likriktering i strömförsörjningar
• Används med motordrivna halvbryggsteg
• Kan användas för server- och telekomströmskenor
• Lämplig för batterihantering och växelspänningssystem
• Idealisk för synkron likriktering i strömförsörjningar
• Används med motordrivna halvbryggsteg
• Kan användas för server- och telekomströmskenor
• Lämplig för batterihantering och växelspänningssystem
Vilka termiska extremer kan denna enhet motstå?
Den är specifik för drift från -55 °C upp till 175 °C och stöder krav på ett brett industriellt temperaturområde.
Hur påverkar kapslingstypen montering och värmehantering?
Ytmonteringsformatet TO-263 möjliggör direkt kretskortsmontering med låg termisk resistans för kylelement.
Vilka grinddrivaröverväganden bör observeras för omkopplingsprestanda?
Med en typisk grindladdning på 80 nC och en maximal grindklassning på 20 V måste grinddrivare leverera tillräcklig ström samtidigt som Vgs-gränsen respekteras för att uppnå snabba övergångar.
Vilka kanalegenskaper påverkar lednings- och omkopplingsförluster?
Enheten använder en N-kanal-arkitektur med ett mycket lågt drain-source-motstånd som minskar ledningsförluster samtidigt som hög strömkapacitet bibehålls.
Är denna enhet avsedd för fordonskvalificering?
Delen är inte klassad som överensstämmande med fordonsstandard men uppfyller RoHS-miljökraven.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 273 A 100 V N, 7 Ben, TO-263, iPB
- Infineon N Kanal, MOSFET, 273 A 100 V N, 3 Ben, TO-263, iPB
- Infineon N Kanal, MOSFET, 273 A 100 V P, 3 Ben, TO-263, iPB
- Infineon N Kanal, MOSFET, 273 A 100 V N, 3 Ben, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 273 A 100 V N, 3 Ben, TO-263, iPB
- Infineon N Kanal, MOSFET, 273 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 273 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 107 A 80 V N, TO-263, iPB