Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 211 A 650 V N, TO-263, iPB

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

81,31 kr

(exkl. moms)

101,64 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 914 enhet(er) från den 27 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 981,31 kr
10 - 2477,28 kr
25 - 4974,03 kr
50 - 9970,67 kr
100 +65,86 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
258-3827
Tillv. art.nr:
IPBE65R050CFD7AATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

211A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Kapseltyp

TO-263

Serie

iPB

Typ av fäste

Yta

Maximal drain-källresistans Rds

40.7mΩ

Kanalläge

N

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon CoolMOS C3A technology was designed to meet the growing demands of higher system voltages in the area of electric vehicles, such as PHEVs and BEV.

Best-in-class quality and reliability

Higher breakdown voltage

High peak current capability

Relaterade länkar