Infineon N Kanal, MOSFET, 273 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, iPB AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

15 322,00 kr

(exkl. moms)

19 152,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 6 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +15,322 kr15 322,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
242-5824
Tillv. art.nr:
IPB120N10S405ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

273A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

TO-263

Serie

iPB

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.7mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

80nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal effektförlust Pd

81W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineons MOSFET erbjuder D2PAK-paket som är idealiskt lämpad för resonanta topologier i högströms-SMPS, som server-, telekom- och EV-laddstationer, där det möjliggör betydande effektivitetsförbättringar.

N-kanal – Normal nivå – Förbättringsläge

AEC Q101-kvalificerade

MSL1 upp till 260 °C topp omsmältning

175 °C drifttemperatur

100 % avalanche-testad

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.