Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

57 525,00 kr

(exkl. moms)

71 905,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 02 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
5000 +11,505 kr57 525,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
242-0302
Tillv. art.nr:
IAUC100N10S5L040ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

120A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Kapseltyp

SuperSO8 5 x 6

Serie

IAUC

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

1.4mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal effektförlust Pd

81W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

80nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineon OptiMOS-5 effekttransistor är en N-kanal MOSFET. Den är 100 % avalanche-testad.

Kan användas för automatisk optisk inspektion (AOI)

AEC-godkänd

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.