Infineon N Kanal, MOSFET, 381 A 40 V N, 8 Ben, TDSON-8 FL, BSC0

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (2 enheter, i en förpackning med 2)*

40,32 kr

(exkl. moms)

50,40 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 3 624 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1820,16 kr40,32 kr
20 - 4816,91 kr33,82 kr
50 - 9815,905 kr31,81 kr
100 - 19814,73 kr29,46 kr
200 +13,72 kr27,44 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
241-9873
Tillv. art.nr:
BSC019N06NSATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

381A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Serie

BSC0

Kapseltyp

TDSON-8 FL

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.7mΩ

Kanalläge

N

Maximal effektförlust Pd

81W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

80nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

Infineon BSC0-serien MOSFET, 40 V maximal drain-källspänning, 381 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSC019N06NSATMA1


Denna MOSFET är en högströms-N-kanalsomkopplingsenhet som är utformad för ytmonterade effekttillämpningar där låg påslagningsresistans och snabb grindrespons krävs. Den fungerar över ett brett temperaturområde som är lämpligt för krävande miljöer och levereras i ett kompakt TDSON-8 FL-paket för integrering på kortnivå.

Funktioner och fördelar:


• Ultralåg Rds(on) på 0,7 mΩ minskar ledningsförluster och värmegenerering
• Maximum kontinuerlig Id 381 A stöder högströmsleverans i system
• Vds 40 V möjliggör användning i medelspänningsströmskenor och omvandlare
• Pd 81 W möjliggör betydande effekthantering utan omedelbar termisk störning
• Qg 80 nC grindladdning möjliggör snabb omkoppling för dynamiska laster
• Vgs 20 V gate-klassning ger flexibla gate-drivspänningar för styrkretsar

Användningsområden


• Lämplig för högströms synkrona likriktningsstegen
• Idealisk för strömomvandling i server- och telekomutrustning
• Används för motordrivna halvbryggor och H-bryggkonfigurationer
• Kan användas för batterihantering och DC/DC-omvandlare
• Används med högeffekts MOSFET-arrayer på Compact Power-kort

Vilken kapsling och monteringsstil använder den?


Den levereras i en TDSON-8 FL-kapsel och är avsedd för ytmontering på kretskort.

Vilket temperaturområde tål den i drift?


Enheten fungerar mellan −55 °C och 175 °C för utökad miljötolerans.

Vilka egenskaper påverkar kraven på omkopplingshastighet och grinddrivning?


Den typiska grindladdningen är 80 nC vilket avgör drivström och omkopplingsövergångar.

Hur påverkar den framåtriktade spänningen ledningsprestanda?


En framåtspänning på 1 V påverkar effektförluster under ledning och måste beaktas i termisk konstruktion.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.