Infineon N Kanal, MOSFET, 381 A 40 V N, 8 Ben, TDSON-8 FL, BSC0

RS-artikelnummer:: 241-9871
Tillv. art.nr:: BSC019N06NSATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 381 A 40 V N, 8 Ben, TDSON-8 FL, BSC0

Antal (5000 enheter, på en rulle med 5000)*

42 000,00 kr

(exkl. moms)

52 500,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 05 oktober 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
5000 +	8,40 kr	42 000,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 241-9871
Tillv. art.nr:: BSC019N06NSATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	381A
	Maximal källspänning för dränering Vds	40V
	Serie	BSC0
	Kapseltyp	TDSON-8 FL
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	0.7mΩ
	Kanalläge	N
	Framåtriktad spänning Vf	1V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	80nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Maximal effektförlust Pd	81W
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 381A
	Maximal källspänning för dränering Vds 40V
	Serie BSC0
	Kapseltyp TDSON-8 FL
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 0.7mΩ
	Kanalläge N
	Framåtriktad spänning Vf 1V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Maximal effektförlust Pd 81W
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Standarder/godkännanden RoHS
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - BSC019N06NSATMA1

Infineon BSC0-serien MOSFET, 40 V maximal drain-källspänning, 381 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSC019N06NSATMA1

Denna MOSFET är en högströms-N-kanalsomkopplingsenhet som är utformad för ytmonterade effekttillämpningar där låg påslagningsresistans och snabb grindrespons krävs. Den fungerar över ett brett temperaturområde som är lämpligt för krävande miljöer och levereras i ett kompakt TDSON-8 FL-paket för integrering på kortnivå.

Funktioner och fördelar:

• Ultralåg Rds(on) på 0,7 mΩ minskar ledningsförluster och värmegenerering
• Maximum kontinuerlig Id 381 A stöder högströmsleverans i system
• Vds 40 V möjliggör användning i medelspänningsströmskenor och omvandlare
• Pd 81 W möjliggör betydande effekthantering utan omedelbar termisk störning
• Qg 80 nC grindladdning möjliggör snabb omkoppling för dynamiska laster
• Vgs 20 V gate-klassning ger flexibla gate-drivspänningar för styrkretsar

Användningsområden

• Lämplig för högströms synkrona likriktningsstegen
• Idealisk för strömomvandling i server- och telekomutrustning
• Används för motordrivna halvbryggor och H-bryggkonfigurationer
• Kan användas för batterihantering och DC/DC-omvandlare
• Används med högeffekts MOSFET-arrayer på Compact Power-kort

Vilken kapsling och monteringsstil använder den?

Den levereras i en TDSON-8 FL-kapsel och är avsedd för ytmontering på kretskort.

Vilket temperaturområde tål den i drift?

Enheten fungerar mellan −55 °C och 175 °C för utökad miljötolerans.

Vilka egenskaper påverkar kraven på omkopplingshastighet och grinddrivning?

Den typiska grindladdningen är 80 nC vilket avgör drivström och omkopplingsövergångar.

Hur påverkar den framåtriktade spänningen ledningsprestanda?

En framåtspänning på 1 V påverkar effektförluster under ledning och måste beaktas i termisk konstruktion.