Infineon N Kanal, MOSFET, 381 A 40 V N, 8 Ben, TDSON, BSC
- RS-artikelnummer:
- 241-9969
- Tillv. art.nr:
- BSC034N10LS5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 5000 enheter)*
84 000,00 kr
(exkl. moms)
105 000,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 23 september 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 5000 + | 16,80 kr | 84 000,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 241-9969
- Tillv. art.nr:
- BSC034N10LS5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 381A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | BSC | |
| Kapseltyp | TDSON | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.7mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Maximal arbetstemperatur | +150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 381A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie BSC | ||
Kapseltyp TDSON | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.7mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Maximal arbetstemperatur +150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon BSC-serien MOSFET, 40 V maximal drain-källspänning, 381 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSC034N10LS5ATMA1
Denna MOSFET är en N-kanal med hög strömstyrka som är utformad för strömomkoppling och omvandling i ytmonterade tillämpningar. Den fungerar över ett utökat temperaturområde och är lämplig för miljöer som kräver robust termisk tolerans och låga ledningsförluster. Komponenten levereras i en TDSON-kapsel för kortmonterade effektsteg och uppfyller RoHS.
Funktioner och fördelar:
• 40 V klassning för mellanspänningseffektsteg
• 381 A kontinuerlig avtappningsström för högströmsleverans
• 0.7 mΩ Rds(on) för att minska ledningsförluster
• 81 W effektförlust för långvarig termisk prestanda
• 80 nC typisk grindladdning för förutsägbar omkopplingsstyrning
• Gate-source tål upp till 20 V för flexibla drivmarginaler
• 381 A kontinuerlig avtappningsström för högströmsleverans
• 0.7 mΩ Rds(on) för att minska ledningsförluster
• 81 W effektförlust för långvarig termisk prestanda
• 80 nC typisk grindladdning för förutsägbar omkopplingsstyrning
• Gate-source tål upp till 20 V för flexibla drivmarginaler
Användningsområden
• Lämplig för högströms-DC-DC-omvandlare i nätaggregat
• Idealisk för synkronlikriktelse i switchregulatorer
• Används med motordrivkretsar som kräver låg ledningsförlust
• Kan användas för servernätverksdistributionsmoduler
• Lämplig för industriella strömhanteringsenheter
• Idealisk för synkronlikriktelse i switchregulatorer
• Används med motordrivkretsar som kräver låg ledningsförlust
• Kan användas för servernätverksdistributionsmoduler
• Lämplig för industriella strömhanteringsenheter
Vilka omgivningstemperaturer tål den i drift?
Den fungerar från -55 °C upp till +150 °C, vilket möjliggör användning i miljöer med breda temperaturer.
Hur bidrar enheten till att minska värmen i täta kraftsystem?
Det låga drain-source-motståndet minimerar I2R-förluster, vilket minskar värmeutvecklingen under ledning.
Vilken monteringsmetod krävs för kortsamling?
Den är avsedd för ytmontering i ett TDSON-paket för att underlätta kompakta strömlayouter.
Hur stort framspänningsfall är typiskt under ledning?
Framspänningen är specificerad till 1,1 V för förhållanden där Vgs och Id ger framåtriktad ledning.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 381 A 40 V N, 8 Ben, TDSON, BSC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 381 A 40 V N, 8 Ben, TDSON, BSC0
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 180 A 60 V N, 8 Ben, TDSON, BSC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 68 A 120 V N, 8 Ben, TDSON, BSC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 53 A 60 V N, 8 Ben, TDSON, BSC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 75 V N, 8 Ben, TDSON, BSC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 30 V N, 8 Ben, TDSON, BSC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 88 A 30 V N, 8 Ben, TDSON, BSC
