Infineon N Kanal, MOSFET, 381 A 40 V N, 8 Ben, TDSON, BSC0

RS-artikelnummer:: 241-9966
Tillv. art.nr:: BSC025N08LS5ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 381 A 40 V N, 8 Ben, TDSON, BSC0

Antal (5000 enheter, på en rulle med 5000)*

75 935,00 kr

(exkl. moms)

94 920,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 29 september 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
5000 +	15,187 kr	75 935,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 241-9966
Tillv. art.nr:: BSC025N08LS5ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	381A
	Maximal källspänning för dränering Vds	40V
	Kapseltyp	TDSON
	Serie	BSC0
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	0.7mΩ
	Kanalläge	N
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	80nC
	Maximal effektförlust Pd	81W
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Maximal arbetstemperatur	+150°C
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 381A
	Maximal källspänning för dränering Vds 40V
	Kapseltyp TDSON
	Serie BSC0
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 0.7mΩ
	Kanalläge N
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC
	Maximal effektförlust Pd 81W
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Maximal arbetstemperatur +150°C
	Standarder/godkännanden RoHS
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - BSC025N08LS5ATMA1

Infineon BSC0-serien MOSFET, 40 V maximal drain-källspänning, 381 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSC025N08LS5ATMA1

Denna MOSFET är en N-kanalstransistor med hög strömstyrka som är utformad för ytmonterad strömomkoppling i krävande termiska miljöer. Den stöder lågspännings- och högströmstillämpningar och är avsedd för implementering där kompakt TDSON-förpackning och breda drifttemperaturer krävs.

Funktioner och fördelar:

• Mycket låg påslagningsresistans möjliggör minskade ledningsförluster
• 381 A kontinuerlig dräneringsström stöder höga strömbelastningar
• 40 V drain-source-klassning möjliggör lågspänningseffektsteg
• 81 W effektförlust möjliggör förhöjd effekthantering
• 80 nC typisk grindladdning möjliggör snabbare omkopplingsövergångar
• Området −55 °C till +150 °C upprätthåller drift i extrema termiska förhållanden

Användningsområden

• Lämplig för DC/DC-omvandlarkonstruktioner med hög strömstyrka
• Idealisk för synkron likriktering i strömförsörjningar
• Används för motorstyrningssteg som kräver 1,2 V framstegsspänning
• Kan användas i serverströmfördelningsmoduler
• Lämplig för ytmonterade strömförsörjningsenheter på kompakta kort

Vilken monteringsstil krävs för kretskortsmontering?

Den levereras i en TDSON-kapsel avsedd för ytmonterad lödning på kretskortsskivor.

Vilka gränsspänningsgränser bör iakttas under drift?

Grinden får inte överstiga 20 V i förhållande till källan för att förhindra grindöverspänning.

Hur påverkar dess framåtriktade spänning ledning vid höga strömmar?

Den typiska framåtriktade spänningen är 1,2 V, vilket bidrar till kopplingsuppvärmning under hög belastning och bör beaktas i termisk konstruktion.

Vilka godkännanden och miljöhänsyn gäller?

Den uppfyller RoHS-kraven som begränsar farliga ämnen i komponenten.

Vilka kanalegenskaper definierar omkopplingspolariteten?

Den använder en N-typ-ledningskanal som är lämplig för lågströmsomkoppling och vanliga högströmstopologier.