Infineon N Kanal, MOSFET, 381 A 60 V N, 8 Ben, TDSON, BSC0

Denna MOSFET är en N-kanals effekttransistor med hög strömstyrka som är utformad för ytmonteringstillämpningar där effektiv omkoppling och värmebeständighet krävs i krävande temperaturområden. Den fungerar som en logikkompatibel omkopplare för effektsteg, vilket ger betydande kontinuerlig strömkapacitet samtidigt som den är lämplig för kompakta kortlayouter och monteringar som kräver låg påslagningsresistans och kontrollerade gate-drivningsegenskaper.

• 60 V avtappningsspänningsgränser möjliggör robust omkoppling vid medelspänning
• 381A kontinuerlig ström ger hög kontinuerlig belastningskapacitet
• 0.7 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster vid höga belastningar
• 81 W effektförlust möjliggör betydande värmeutrymme
• 80 nC typisk grindladdning stöder snabbare omkoppling med måttlig drivning
• 1,2 V framåtriktad diodspänning minimerar återhämtningsspänning under omkoppling

• Lämplig för högströmsmotordrivsteg på kompakta kort
• Idealisk för synkron likriktering i strömomvandlare
• Används med batterihanteringssystem som kräver låg ledningsförlust
• Kan användas för omkopplingssteg i DC-DC-strömförsörjningsmoduler
• Lämplig för industriella drivenheter som drivs över ett brett temperaturområde

En grinddrivning upp till max 20 V Vgs är tillåten men typisk logiknivådrivning bör ta hänsyn till 80 nC grindladdning när du dimensionerar drivaren för att uppnå önskade övergångshastigheter.

Med en maximal dissipation på 81 W bör kortutformningen ge tillräcklig kopparyta och termiska vägar för att leda värme bort från TDSON-kapseln för kontinuerlig drift med hög ström.

Den fungerar i ett brett omgivningsområde från -55 °C upp till +150 °C, vilket stöder konstruktioner som utsätts för extrema temperaturer.

1,2 V framåtriktad diodkaraktär minskar toppomvändningsspänning vid lägesväxlingar, vilket påverkar snubber- och klämkraven.