Infineon N Kanal, MOSFET, 381 A 40 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, BSC0

RS-artikelnummer:: 241-9689
Tillv. art.nr:: BSC022N04LS6ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 381 A 40 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, BSC0

Antal (5000 enheter, på en rulle med 5000)*

29 500,00 kr

(exkl. moms)

36 900,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 28 september 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
5000 +	5,90 kr	29 500,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 241-9689
Tillv. art.nr:: BSC022N04LS6ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	381A
	Maximal källspänning för dränering Vds	40V
	Serie	BSC0
	Kapseltyp	SuperSO8 5 x 6
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	0.7mΩ
	Kanalläge	N
	Maximal effektförlust Pd	81W
	Framåtriktad spänning Vf	1V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	80nC
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 381A
	Maximal källspänning för dränering Vds 40V
	Serie BSC0
	Kapseltyp SuperSO8 5 x 6
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 0.7mΩ
	Kanalläge N
	Maximal effektförlust Pd 81W
	Framåtriktad spänning Vf 1V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Standarder/godkännanden RoHS
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - BSC022N04LS6ATMA1

Infineon BSC0-serien MOSFET, 81 W maximal effektförlust, 40 V maximal drain-källspänning – BSC022N04LS6ATMA1

Denna MOSFET är en N-kanalstransistor med hög strömstyrka som är utformad för ytmonterad effektomvandling och omkopplingsuppgifter i krävande termiska miljöer. Den fungerar i ett brett temperaturområde och är lämplig för tillämpningar som kräver låga ledningsförluster och betydande kontinuerlig dräneringsström samtidigt som den är monterad i ett kompakt SuperSO8-paket.

Funktioner och fördelar:

• 40 V avtappningsspänning stöder systemkonstruktioner med medelhög spänning
• 381A kontinuerlig dräneringsström möjliggör högströmsväxling
• Motståndet på 0.7 mΩ minimerar ledningsförluster
• 81 W effektförlust möjliggör betydande termisk belastning
• 80 nC typisk grindladdning passar snabb omkoppling vid hög ström
• 20 V grindklassning ger ett brett grinddrivarutrymme

Användningsområden

• Lämplig för högströmsnätaggregat och omvandlare
• Idealisk för motordriftsteg som kräver omkoppling med låga förluster
• Används med synkron likriktare i DC/DC-omvandlare
• Kan användas för lastomkoppling i servernätverksskenor
• Lämplig för installationer som utsätts för värmestress ned till -55 °C

Vilka termiska extremer tål den under drift?

Den är klassad för drift från -55 °C upp till 175 °C, vilket möjliggör användning i miljöer med förhöjda temperaturer.

Vilken monteringsmetod krävs för kretskortsimplementering?

Den levereras i en SuperSO8 5x6-förpackning för ytmontering för automatiserad kretskortsmontering.

Hur påverkar den framåtriktade spänningen lågspänningsdesigner?

Den typiska framåtriktade spänningen på 1 V begränsar spänningsfallet under ledning, vilket bidrar till effektivitet i lågspänningssystem med hög ström.

Är enheten lämplig för fordonskvalificeringsprocesser?

Den är inte utsedd som en enhet enligt fordonsstandard och bör utvärderas därefter för fordonstillämpningar.