Infineon N Kanal, MOSFET, 21 mA 600 V Avskrivningar, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS®

RS-artikelnummer:: 236-4397
Tillv. art.nr:: BSS126IXTSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 21 mA 600 V Avskrivningar, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS®

Antal (3000 enheter, på en rulle med 3000)*

1 872,00 kr

(exkl. moms)

2 340,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

3 000 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
3000 +	0,624 kr	1 872,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 236-4397
Tillv. art.nr:: BSS126IXTSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	21mA
	Maximal källspänning för dränering Vds	600V
	Serie	SIPMOS®
	Kapseltyp	SOT-23
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	700Ω
	Kanalläge	Avskrivningar
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	1.4nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	0.5W
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	No
	Bredd	1.4mm
	Längd	3mm
	Höjd	1.1mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 21mA
	Maximal källspänning för dränering Vds 600V
	Serie SIPMOS®
	Kapseltyp SOT-23
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 700Ω
	Kanalläge Avskrivningar
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 1.4nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 0.5W
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden No
	Bredd 1.4mm
	Längd 3mm
	Höjd 1.1mm
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - BSS126IXTSA1

Infineon SIPMOS®-serien MOSFET, 600 V maximal drain-källspänning, 0,5 W maximal effektförlust – BSS126IXTSA1

Denna MOSFET är en transistor med liten signal, N-kanal och utarmningsläge som är utformad för ytmonterad elektronik som kräver högspänningsomkoppling i kompakta fotavtryck. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är avsedd för lågströmstillämpningar där en utarmningsenhet föredras för att ge normalt påslagningsbeteende och förenklad grindstyrning.

Funktioner och fördelar:

• Maximal drain-källspänning 600 V möjliggör högspänningsswitchning
• Maximal kontinuerlig dräneringsström 21 mA stöder kretsar med låg effekt
• Maximalt drain-source-motstånd 700 Ω begränsar ledningsförmåga i påläge
• Forward-spänning 1,2 V minskar spänningsfallet i drivna banor
• Typisk grindladdning 1.4 nC möjliggör en blygsam grinddrivenergi
• Maximal effektförlust på 0.5 W passar för termiska budgetar med låg effekt

Användningsområden

• Lämplig för högspänningsförspänningsnätverk i analoga konstruktioner
• Idealisk för lågströmsskyddskretsar och avluftningsmotstånd
• Används med småsignaldrivare som kräver utarmningsläge
• Kan användas för strömstyrning i sensorfrontändar
• Lämplig för kompakta strömhanteringsunderkretsar i omvandlare

Vilket grindspänningsområde kan tillämpas på ett säkert sätt?

En gate-to-source-potential på upp till 20 V är tillåten för normal drift.

Vilket temperaturområde kommer enheten att tåla under användning?

Den är klassad för drift mellan −55 °C och 150 °C för varierande miljöer.

Hur är komponenten förpackad för kretskortsmontering?

Den levereras i ett SOT-23-paket för ytmontering som är lämpligt för automatiserad placering.

Vilket mekaniskt hölje bör tillåtas på kretskortsfotavtrycket?

Förpackningen mäter cirka 3 mm längd, 1.4 mm bredd och 1.1 mm höjd för markplanering.

Uppfyller enheten klassificeringen för fordonsindustrin?

Det är inte specificerat som en komponent enligt fordonsstandard och bör inte antas uppfylla dessa kriterier.