Infineon N Kanal, MOSFET, 21 mA 600 V Avskrivningar, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS®

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

22,62 kr

(exkl. moms)

28,28 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 4 180 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 902,262 kr22,62 kr
100 - 2402,139 kr21,39 kr
250 - 4902,038 kr20,38 kr
500 - 9901,971 kr19,71 kr
1000 +1,59 kr15,90 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
236-4398
Tillv. art.nr:
BSS126IXTSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

21mA

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

SOT-23

Serie

SIPMOS®

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

700Ω

Kanalläge

Avskrivningar

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

1.4nC

Maximal effektförlust Pd

0.5W

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

1.4mm

Höjd

1.1mm

Längd

3mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

Infineon SIPMOS®-serien MOSFET, 600 V maximal drain-källspänning, 0,5 W maximal effektförlust – BSS126IXTSA1


Denna MOSFET är en transistor med liten signal, N-kanal och utarmningsläge som är utformad för ytmonterad elektronik som kräver högspänningsomkoppling i kompakta fotavtryck. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är avsedd för lågströmstillämpningar där en utarmningsenhet föredras för att ge normalt påslagningsbeteende och förenklad grindstyrning.

Funktioner och fördelar:


• Maximal drain-källspänning 600 V möjliggör högspänningsswitchning
• Maximal kontinuerlig dräneringsström 21 mA stöder kretsar med låg effekt
• Maximalt drain-source-motstånd 700 Ω begränsar ledningsförmåga i påläge
• Forward-spänning 1,2 V minskar spänningsfallet i drivna banor
• Typisk grindladdning 1.4 nC möjliggör en blygsam grinddrivenergi
• Maximal effektförlust på 0.5 W passar för termiska budgetar med låg effekt

Användningsområden


• Lämplig för högspänningsförspänningsnätverk i analoga konstruktioner
• Idealisk för lågströmsskyddskretsar och avluftningsmotstånd
• Används med småsignaldrivare som kräver utarmningsläge
• Kan användas för strömstyrning i sensorfrontändar
• Lämplig för kompakta strömhanteringsunderkretsar i omvandlare

Vilket grindspänningsområde kan tillämpas på ett säkert sätt?


En gate-to-source-potential på upp till 20 V är tillåten för normal drift.

Vilket temperaturområde kommer enheten att tåla under användning?


Den är klassad för drift mellan −55 °C och 150 °C för varierande miljöer.

Hur är komponenten förpackad för kretskortsmontering?


Den levereras i ett SOT-23-paket för ytmontering som är lämpligt för automatiserad placering.

Vilket mekaniskt hölje bör tillåtas på kretskortsfotavtrycket?


Förpackningen mäter cirka 3 mm längd, 1.4 mm bredd och 1.1 mm höjd för markplanering.

Uppfyller enheten klassificeringen för fordonsindustrin?


Det är inte specificerat som en komponent enligt fordonsstandard och bör inte antas uppfylla dessa kriterier.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.