Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 21 mA 600 V Avskrivningar, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS®
- RS-artikelnummer:
- 236-4398
- Tillv. art.nr:
- BSS126IXTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
22,62 kr
(exkl. moms)
28,28 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 4 290 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 2,262 kr | 22,62 kr |
| 100 - 240 | 2,139 kr | 21,39 kr |
| 250 - 490 | 2,038 kr | 20,38 kr |
| 500 - 990 | 1,971 kr | 19,71 kr |
| 1000 + | 1,59 kr | 15,90 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 236-4398
- Tillv. art.nr:
- BSS126IXTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 21mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | SIPMOS® | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 700Ω | |
| Kanalläge | Avskrivningar | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 1.4nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 0.5W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 3mm | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 21mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie SIPMOS® | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 700Ω | ||
Kanalläge Avskrivningar | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 1.4nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 0.5W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 3mm | ||
Höjd 1.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons 600 V N-kanaliga MOSFET med litet signalutarmningsläge är blyfri plätering, RoHS-kompatibel och halogenfri enligt IEC61249-2-21. Helt kvalificerad enligt JEDEC för industriella tillämpningar. Den har industristandardkvalificeringsnivå.
Hög systemtillförlitlighet
Miljövänligt
Utrymmes- och kostnadsbesparande på kretskortet
dv/dt-klassad
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 21 mA 600 V Avskrivningar, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS®
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 21 mA 600 V Avskrivningar, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 230 mA 60 V Avskrivningar, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 21 mA 600 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 mA 600 V Avskrivningar, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 660 mA 200 V Avskrivningar, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 350 mA 240 V Avskrivningar, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 200 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS