Infineon N Kanal, MOSFET, 660 mA 200 V Avskrivningar, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 911-4808
Tillv. art.nr:: BSP149H6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 660 mA 200 V Avskrivningar, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

5 448,00 kr

(exkl. moms)

6 810,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 02 februari 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
1000 +	5,448 kr	5 448,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 911-4808
Tillv. art.nr:: BSP149H6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	660mA
	Maximal källspänning för dränering Vds	200V
	Serie	SIPMOS
	Kapseltyp	SOT-223
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	4
	Maximal drain-källresistans Rds	1.8Ω
	Kanalläge	Avskrivningar
	Maximal effektförlust Pd	1.8W
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	11nC
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	No
	Bredd	3.5mm
	Längd	6.5mm
	Höjd	1.6mm
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 660mA
	Maximal källspänning för dränering Vds 200V
	Serie SIPMOS
	Kapseltyp SOT-223
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 4
	Maximal drain-källresistans Rds 1.8Ω
	Kanalläge Avskrivningar
	Maximal effektförlust Pd 1.8W
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 11nC
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden No
	Bredd 3.5mm
	Längd 6.5mm
	Höjd 1.6mm
	Fordonsstandard AEC-Q101

COO (ursprungsland):: MY

MOSFET i Infineons SIPMOS®-serie, 660 mA maximal kontinuerlig dräneringsström, 1,8 W maximal effektförlust - BSP149H6327XTSA1

Denna MOSFET är en viktig komponent för en rad olika elektroniska applikationer och erbjuder effektiv prestanda i en kompakt ytmonterad kapsling. Den lämpar sig väl för styrning av automationskretsar och är relevant för användare inom elektronik-, el- och mekaniksektorerna. Karakteristiken med utarmningsläge förbättrar kontrollen för switchapplikationer, vilket gör den till ett lämpligt val för ingenjörer.

Funktioner & fördelar

• Maximal drain-source-spänning på 200 V för högspänningsapplikationer

• Kontinuerlig dräneringsströmkapacitet på upp till 660 mA

• SIPMOS-teknik för konsekvent prestanda

• RoHS-kompatibel med Pb-fri blyplätering

• dv/dt-klassad för förbättrad tålighet mot spänningsvariationer

Användningsområden

• Förare i automationssystem

• Växlande nätaggregat för energihantering

• Fordonselektronik som överensstämmer med AEC-Q101-standarder

Vilken betydelse har egenskapen "depletion mode"?

Utarmningsläget ger effektiv styrning av MOSFET:en, vilket möjliggör effektiv switchning även vid lägre spänningar, vilket är fördelaktigt i olika elektroniska konstruktioner.

Hur hanterar enheten termiska utmaningar?

Den fungerar inom ett brett temperaturområde på -55°C till +150°C, vilket garanterar tillförlitlig prestanda även under extrema termiska förhållanden, tack vare den effektiva värmehanteringen.

Vilka är tröskelvärdena för gate-spänningen för denna komponent?

Grindtröskelspänningen sträcker sig från -2,1V till -1V, vilket ger mångsidiga switchalternativ för olika kretsbehov.

Vilka är konsekvenserna av ESD-klassningen?

ESD-klassningen 1B indikerar en konstruktion som klarar elektrostatiska urladdningsnivåer på mellan 500 V och 600 V, vilket ökar enhetens tillförlitlighet i känsliga applikationer.