Infineon N Kanal, MOSFET, 21 mA 600 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 165-7534
- Tillv. art.nr:
- BSS127H6327XTSA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 3000 enheter)*
3 426,00 kr
(exkl. moms)
4 284,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 09 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 1,142 kr | 3 426,00 kr |
| 6000 - 12000 | 1,085 kr | 3 255,00 kr |
| 15000 + | 1,017 kr | 3 051,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 165-7534
- Tillv. art.nr:
- BSS127H6327XTSA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 21mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 600Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.82V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.65nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 500mW | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 1.3mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 2.9mm | |
| Höjd | 1mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 21mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie SIPMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 600Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.82V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.65nC | ||
Maximal effektförlust Pd 500mW | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 1.3mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 2.9mm | ||
Höjd 1mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOS-serien MOSFET, 600 V drain source-spänning, 21 mA kontinuerlig drain-ström – BSS127H6327XTSA2
Denna MOSFET är en högspänningstransistor med N-kanal som är utformad för ytmonterad omkoppling i kompakta elektroniska system. Den fungerar i ett brett temperaturområde för krävande miljöer och är lämplig för tillämpningar som kräver en robust enhet med litet fotavtryck och kontrollerade gate-drivningsegenskaper.
Funktioner och fördelar:
• 600 V drain-to-source-motstånd ger högspänningsomkopplingsförmåga
• 0.65 nC typisk grindladdning möjliggör snabbare omkoppling med lägre förlust
• Maximal RDS(on) på 600 Ω minskar läckage i avstängt läge i högspänningskretsar
• Kontinuerlig dräneringsström på 21 mA passar styrfunktioner med låg ström
• 500 mW maximal effektförlust hanterar termisk belastning i kompakta layouter
• VVGS-klassad till 20 V möjliggör kompatibilitet med vanliga gate-drivningsspänningar
• 0.65 nC typisk grindladdning möjliggör snabbare omkoppling med lägre förlust
• Maximal RDS(on) på 600 Ω minskar läckage i avstängt läge i högspänningskretsar
• Kontinuerlig dräneringsström på 21 mA passar styrfunktioner med låg ström
• 500 mW maximal effektförlust hanterar termisk belastning i kompakta layouter
• VVGS-klassad till 20 V möjliggör kompatibilitet med vanliga gate-drivningsspänningar
Användningsområden
• Lämplig för topologier för högspänningseffektomvandling
• Idealisk för sensorer och hjälpkretsar av fordonskvalitet
• Används med kompakta omkopplingsregulatorer och flyback-steg
• Kan användas för signalomvandling på grindnivå i skyddskretsar
• Lämplig för strömhanteringsmoduler med liten formfaktor
• Idealisk för sensorer och hjälpkretsar av fordonskvalitet
• Används med kompakta omkopplingsregulatorer och flyback-steg
• Kan användas för signalomvandling på grindnivå i skyddskretsar
• Lämplig för strömhanteringsmoduler med liten formfaktor
Vilken kapsling och monteringsstil använder den för kretskortsmontering?
Den levereras i ett SOT-23-paket avsett för ytmonterad placering och omsmältningslödning.
Vilka termiska extremer tål den under drift?
Enheten är specifik för drift mellan -55 °C och 150 °C, vilket stöder breda termiska utflykter i tuffa miljöer.
Hur många elektriska anslutningar finns tillgängliga för kretsintegrering?
Komponenten använder en trepolig konfiguration som är kompatibel med typiska diskreta MOSFET-layouter.
Är enheten kvalificerad för fordonstillämpningar?
Den uppfyller AEC-Q101-standarden, vilket indikerar lämplighet för fordonselektronik.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 21 mA 600 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 21 mA 600 V Avskrivningar, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 110 mA 240 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 200 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 330 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 230 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 170 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 21 mA 600 V Avskrivningar, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS®