Infineon N Kanal, MOSFET, 22 A 700 V, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- RS-artikelnummer:
- 236-3664
- Tillv. art.nr:
- IPP65R110CFD7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
101,36 kr
(exkl. moms)
126,70 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 156 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 50,68 kr | 101,36 kr |
| 10 - 18 | 45,585 kr | 91,17 kr |
| 20 - 48 | 42,45 kr | 84,90 kr |
| 50 - 98 | 39,59 kr | 79,18 kr |
| 100 + | 36,40 kr | 72,80 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 236-3664
- Tillv. art.nr:
- IPP65R110CFD7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 22A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 700V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 110mΩ | |
| Maximal effektförlust Pd | 114W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 41nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4.57mm | |
| Längd | 10.36mm | |
| Höjd | 9.45mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 22A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 700V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie CoolMOS | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 110mΩ | ||
Maximal effektförlust Pd 114W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 41nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4.57mm | ||
Längd 10.36mm | ||
Höjd 9.45mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon CoolMOS Super Junction MOSFET med integrerad snabb kroppsdiod är det perfekta valet för resonanstopologier med hög effekt. Den är idealiskt lämpad för industriella tillämpningar, t.ex. server-, telekom-, solenergi- och EV-laddstationer, där den möjliggör betydande effektivitetsförbättringar jämfört med konkurrenterna. Den har en dräneringsström på 22 A.
Utmärkt robusthet vid hård kommutation
Extra säkerhetsmarginal för konstruktioner med ökad busspänning
Möjliggör ökad effekttäthet
Enastående lätt belastningseffektivitet i industriella SMPS-tillämpningar
Förbättrad effektivitet vid full belastning i industriella SMPS-tillämpningar
Priskonkurrenskraft jämfört med alternativa erbjudanden på marknaden
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 22 A 700 V, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 15 A 700 V, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 700 V, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 700 V, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 8.5 A 700 V N, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 41 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 22 A 700 V, 3 Ben, TO-247, CoolMOS