Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 15 enheter)*

113,46 kr

(exkl. moms)

141,825 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 120 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
15 - 607,564 kr113,46 kr
75 - 1357,183 kr107,75 kr
150 - 3606,892 kr103,38 kr
375 - 7356,585 kr98,78 kr
750 +6,13 kr91,95 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
222-4644
Tillv. art.nr:
IPA70R900P7SXKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

6A

Maximal källspänning för dränering Vds

700V

Serie

CoolMOS

Kapseltyp

TO-220

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

900mΩ

Kanalläge

Förbättring

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

Infineons design av Cool MOSTM är en revolutionerande teknik för högspänningseffekts-MOSFET, utformad enligt super junction (SJ)-principen och banbrytande av Infineon Technologies. Den senaste Cool MOSTM P7 är en optimerad plattform som är skräddarsydd för kostnadskänsliga tillämpningar på konsumentmarknader som laddare, adapter, belysning, TV, etc.

Extremt låga förluster tack vare mycket låg FOM RDS(on)*Qg och RDS(on)*Eoss

Produktvalidering enligt JEDEC-standard

Låga omkopplingsförluster (Eoss)

Integrerad ESD-skyddsdiod

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.