Infineon N Kanal, MOSFET, 12 A 700 V, 3 Ben, TO-220, CoolMOS

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
236-3667
Tillv. art.nr:
IPP65R190CFD7XKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

12A

Maximal källspänning för dränering Vds

700V

Serie

CoolMOS

Kapseltyp

TO-220

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

190mΩ

Framåtriktad spänning Vf

1V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

63W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

23nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

9.45mm

Längd

10.36mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

4.57mm

Fordonsstandard

Nej

Infineon CoolMOS Super Junction MOSFET med integrerad snabb kroppsdiod är det perfekta valet för resonanstopologier med hög effekt. Den är idealiskt lämpad för industriella tillämpningar, t.ex. server-, telekom-, solenergi- och EV-laddstationer, där den möjliggör betydande effektivitetsförbättringar jämfört med konkurrenterna. Den har en dräneringsström på 12 A.

Utmärkt robusthet vid hård kommutation

Extra säkerhetsmarginal för konstruktioner med ökad busspänning

Möjliggör ökad effekttäthet

Enastående lätt belastningseffektivitet i industriella SMPS-tillämpningar

Förbättrad effektivitet vid full belastning i industriella SMPS-tillämpningar

Priskonkurrenskraft jämfört med alternativa erbjudanden på marknaden

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.