Infineon N Kanal, MOSFET, 25 A 700 V, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- RS-artikelnummer:
- 236-3662
- Tillv. art.nr:
- IPP65R090CFD7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
132,16 kr
(exkl. moms)
165,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 496 enhet(er) från den 24 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 66,08 kr | 132,16 kr |
| 10 - 18 | 59,53 kr | 119,06 kr |
| 20 - 48 | 56,17 kr | 112,34 kr |
| 50 - 98 | 52,135 kr | 104,27 kr |
| 100 + | 48,105 kr | 96,21 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 236-3662
- Tillv. art.nr:
- IPP65R090CFD7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 25A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 700V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 900mΩ | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal effektförlust Pd | 127W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 53nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 4.57mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 9.45mm | |
| Längd | 10.36mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 25A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 700V | ||
Serie CoolMOS | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 900mΩ | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal effektförlust Pd 127W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 53nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 4.57mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 9.45mm | ||
Längd 10.36mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon CoolMOS Super Junction MOSFET med integrerad snabb kroppsdiod är det perfekta valet för resonanstopologier med hög effekt. Den är idealiskt lämpad för industriella tillämpningar, t.ex. server-, telekom-, solenergi- och EV-laddstationer, där den möjliggör betydande effektivitetsförbättringar jämfört med konkurrenterna. Den har en dräneringsström på 25 A.
Utmärkt robusthet vid hård kommutation
Extra säkerhetsmarginal för konstruktioner med ökad busspänning
Möjliggör ökad effekttäthet
Enastående lätt belastningseffektivitet i industriella SMPS-tillämpningar
Förbättrad effektivitet vid full belastning i industriella SMPS-tillämpningar
Priskonkurrenskraft jämfört med alternativa erbjudanden på marknaden
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 700 V, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 8.5 A 700 V N, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 15 A 700 V, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 22 A 700 V, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 700 V, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 8.5 A 700 V N, 3 Ben, TO-220, 700V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 700 V N, 3 Ben, TO-220, 700V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 7.4 A 700 V N, 3 Ben, TO-220, 700V CoolMOS CE