Infineon N Kanal, MOSFET, 15 A 700 V, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- RS-artikelnummer:
- 236-3666
- Tillv. art.nr:
- IPP65R155CFD7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
202,27 kr
(exkl. moms)
252,84 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 440 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 40,454 kr | 202,27 kr |
| 25 - 45 | 36,422 kr | 182,11 kr |
| 50 - 120 | 33,98 kr | 169,90 kr |
| 125 - 245 | 31,964 kr | 159,82 kr |
| 250 + | 29,524 kr | 147,62 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 236-3666
- Tillv. art.nr:
- IPP65R155CFD7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 15A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 700V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 155mΩ | |
| Maximal effektförlust Pd | 77W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 28nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 4.57mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 9.45mm | |
| Längd | 10.36mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 15A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 700V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie CoolMOS | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 155mΩ | ||
Maximal effektförlust Pd 77W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 28nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 4.57mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 9.45mm | ||
Längd 10.36mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon CoolMOS Super Junction MOSFET med integrerad snabb kroppsdiod är det perfekta valet för resonanstopologier med hög effekt. Den är idealiskt lämpad för industriella tillämpningar, t.ex. server-, telekom-, solenergi- och EV-laddstationer, där den möjliggör betydande effektivitetsförbättringar jämfört med konkurrenterna. Den har en dräneringsström på 15 A.
Utmärkt robusthet vid hård kommutation
Extra säkerhetsmarginal för konstruktioner med ökad busspänning
Möjliggör ökad effekttäthet
Enastående lätt belastningseffektivitet i industriella SMPS-tillämpningar
Förbättrad effektivitet vid full belastning i industriella SMPS-tillämpningar
Priskonkurrenskraft jämfört med alternativa erbjudanden på marknaden
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 15 A 700 V, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 8.5 A 700 V N, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 22 A 700 V, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 700 V, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 700 V, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 8.5 A 700 V N, 3 Ben, TO-220, 700V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 700 V N, 3 Ben, TO-220, 700V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 7.4 A 700 V N, 3 Ben, TO-220, 700V CoolMOS CE