Infineon N Kanal, MOSFET, 8.5 A 700 V N, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- RS-artikelnummer:
- 217-2502
- Tillv. art.nr:
- IPAN70R600P7SXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 20 enheter)*
158,70 kr
(exkl. moms)
198,38 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 360 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 7,935 kr | 158,70 kr |
| 100 - 180 | 7,723 kr | 154,46 kr |
| 200 - 480 | 7,515 kr | 150,30 kr |
| 500 - 980 | 7,314 kr | 146,28 kr |
| 1000 + | 7,135 kr | 142,70 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 217-2502
- Tillv. art.nr:
- IPAN70R600P7SXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 8.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 700V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 600mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Maximal effektförlust Pd | 82W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 20.5nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 4.8mm | |
| Höjd | 29.87mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 16.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 700V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie CoolMOS | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 600mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Maximal effektförlust Pd 82W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 20.5nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 4.8mm | ||
Höjd 29.87mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 16.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons 700 V CoolMOSTM P7 superjunction MOSFET-serie tar upp SMPS-marknaden med låg effekt, t.ex. laddare för mobiltelefoner eller adaptrar för bärbara datorer, genom att erbjuda grundläggande prestandaökningar jämfört med superjunction-tekniker som används idag. Genom att kombinera kundernas återkoppling med över 20 års erfarenhet av superjunction MOSFET, möjliggör 700 V CoolMOSTM P7 bäst passform för målapplikationer när det gäller: Effektivitet och termiska egenskaper Enkel användning EMI-beteende.
Extremt låg FOM R DS(on) x E oss; lägre Q g, E på och E av
Högpresterande teknik
Låga omkopplingsförluster (E oss)
Mycket effektiv
Utmärkt termiskt beteende
Möjliggör höghastighetsomkoppling
Integrerat skydd Zenerdiod
Optimerad V (GS)th på 3 V med mycket smal tolerans på ±0.5 V
Utmärkt sortiment
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 8.5 A 700 V N, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 8.5 A 700 V N, 3 Ben, TO-220, 700V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 8.5 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 8.5 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, 700V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 15 A 700 V, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 22 A 700 V, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 700 V, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 700 V, 3 Ben, TO-220, CoolMOS