STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 60 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, Hip-247, SCTW

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
230-0094
Tillv. art.nr:
SCTWA60N120G2-4
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

60A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Kapseltyp

Hip-247

Serie

SCTW

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

52mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

22V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

388W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

22nC

Framåtriktad spänning Vf

3V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Bredd

5.1mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

21.1mm

Längd

15.9mm

Fordonsstandard

Nej

STMicroelectronics SCTWA60N är en kiselkarbid-effekt-MOSFET-enhet som har utvecklats med ST: s avancerade och innovativa 2: a generationens SiC MOSFET-teknik. Enheten har anmärkningsvärt lågt på-motstånd per enhet och mycket god omkopplingsprestanda. Variationen av omkopplingsförlusten är nästan oberoende av samlingstemperaturen.

Mycket snabb och robust inre kroppsdiod

Extremt låg grindladdning och ingångskapacitet

Källdetekteringsstift för ökad effektivitet

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.