Infineon N Kanal, MOSFET, 21 mA 600 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS127I
- RS-artikelnummer:
- 225-0559
- Tillv. art.nr:
- BSS127IXTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 100 enheter)*
149,60 kr
(exkl. moms)
187,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 300 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 100 - 400 | 1,496 kr | 149,60 kr |
| 500 - 900 | 1,272 kr | 127,20 kr |
| 1000 - 2400 | 1,196 kr | 119,60 kr |
| 2500 - 4900 | 1,076 kr | 107,60 kr |
| 5000 + | 0,824 kr | 82,40 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 225-0559
- Tillv. art.nr:
- BSS127IXTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 21mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | BSS127I | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 600Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.65nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 0.5W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.8mm | |
| Bredd | 3.7mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.7mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 21mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie BSS127I | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 600Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.65nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 0.5W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.8mm | ||
Bredd 3.7mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.7mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon BSS127I-serien MOSFET, 600 V maximal drain-källspänning, 21 mA maximal kontinuerlig drain-ström – BSS127IXTSA1
Denna MOSFET är en kompakt N-kanalförstärkningsenhet som är utformad för allmän omkoppling i ytmonteringstillämpningar över ett brett omgivningsområde. Den är avsedd för kretsar som kräver en högspänningstransistor med blygsam strömkapacitet och ett standardiserat SOT-23-paket med tre stift för integrering på kortnivå.
Funktioner och fördelar:
• 600 V avtappningstolerans möjliggör högspänningskopplingskapacitet
• 0.5 W effektförlust begränsar termisk belastning i trånga konstruktioner
• Kontinuerlig dräneringsström på 21 mA för omkoppling av lågströms-signaler
• 0,65 nC grindladdning stöder snabbare grindövergångar med låg drift
• 600 Ω drain-source-resistans ger förutsägbart läckage i avstängt läge
• 20 V grindklassning möjliggör gränssnitt med vanliga logiknivådrivrutiner
• 0.5 W effektförlust begränsar termisk belastning i trånga konstruktioner
• Kontinuerlig dräneringsström på 21 mA för omkoppling av lågströms-signaler
• 0,65 nC grindladdning stöder snabbare grindövergångar med låg drift
• 600 Ω drain-source-resistans ger förutsägbart läckage i avstängt läge
• 20 V grindklassning möjliggör gränssnitt med vanliga logiknivådrivrutiner
Användningsområden
• Lämplig för omkoppling av högspänningssignaler i styrkretsar
• Idealisk för styrning av reläer och magnetventiler med låg strömstyrka
• Används med logikdrivare där låg grindladdning minskar förluster
• Kan användas för kretskortsmonterade nivåförskjutnings- och skyddskretsar
• Lämplig för kompakta ytmonteringsmoduler som kräver små kapslingar
• Idealisk för styrning av reläer och magnetventiler med låg strömstyrka
• Används med logikdrivare där låg grindladdning minskar förluster
• Kan användas för kretskortsmonterade nivåförskjutnings- och skyddskretsar
• Lämplig för kompakta ytmonteringsmoduler som kräver små kapslingar
Vilket temperaturområde kan den tolerera i industriella miljöer?
Den fungerar tillförlitligt från -55 °C upp till 150 °C.
Hur påverkar enhetens diodrelaterade egenskaper designen?
Tröskelvärdet för framåtriktad ledning är 1,2 V, vilket informerar om diodledningsaspekter i kretsar.
Vilka monterings- och stiftantalöverväganden bör designers notera?
Den levereras i en SOT-23 ytmonterad form med tre stift för enkel kretskortsplacering.
Hur påverkar transistors kapslingsstorlek tätheten i layouten?
Förpackningen mäter 6,7 x 3,7 x 1,8 mm, vilket möjliggör kompakt placering samtidigt som termiska begränsningar upprätthålls.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 21 mA 600 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS127I
- Infineon N Kanal, MOSFET, 21 mA 600 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 21 mA 600 V Avskrivningar, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS®
- Infineon N Kanal, MOSFET, 21 mA 600 V Avskrivningar, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 3.4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 4.1 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 6.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET