ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 78 A 40 V P, 8 Ben, HSOP
- RS-artikelnummer:
- 223-6379
- Tillv. art.nr:
- RS1G201ATTB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
- RS-artikelnummer:
- 223-6379
- Tillv. art.nr:
- RS1G201ATTB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id) | 78 A | |
| Maximal källspänning för dränering (Vds) | 40 V | |
| Kanalläge | P | |
| Antal ben | 8 | |
| Kapseltyp | HSOP | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Framåtriktad spänning (Vf) | -1.2 V | |
| Maximal drain-källresistans (Rds) | 52 mΩ | |
| Maximal spänning för grindkälla (Vgs) | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150 °C | |
| Maximal effektförlust (Pd) | 40 W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55 °C | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Typisk grindladdning (Qg) @ Vgs | 130 nC | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id) 78 A | ||
Maximal källspänning för dränering (Vds) 40 V | ||
Kanalläge P | ||
Antal ben 8 | ||
Kapseltyp HSOP | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Framåtriktad spänning (Vf) -1.2 V | ||
Maximal drain-källresistans (Rds) 52 mΩ | ||
Maximal spänning för grindkälla (Vgs) 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 150 °C | ||
Maximal effektförlust (Pd) 40 W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55 °C | ||
Typ av fäste Yta | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Typisk grindladdning (Qg) @ Vgs 130 nC | ||
The ROHM power MOSFET has HSOP8 package type. It is mainly used for load switching.
Low on - resistance
Small surface mount package
Pb-free plating, RoHS compliant
Relaterade länkar
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 78 A 40 V P, 8 Ben, HSOP
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 43 A 80 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, RS1
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 18 A 80 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, RQ3N060AT
- ROHM 2 Typ P, Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8
- ROHM 2 Typ P Kanal, MOSFET, 12.5 A 100 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8J
- ROHM 2 Typ P, Typ N Kanal Dubbel (Nch+Pch), MOSFET, 16.5 A 40 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8
- ROHM 2 Typ N, Typ P Kanal Dubbel (Nch+Pch), MOSFET, 8.5 A 100 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8K
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs, 78 A -30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3E07BBJHRB AEC-Q101
