ROHM 2 Typ N, Typ P Kanal Dubbel (Nch+Pch), MOSFET, 8.5 A 100 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8K
- RS-artikelnummer:
- 264-877
- Tillv. art.nr:
- HP8ME5TB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Få en mängdrabatt
Lägg till 100 till för att spara 4%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 10 enheter)*
80,53 kr
(exkl. moms)
100,66 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 100 enhet(er) från den 06 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 10 - 90 | 8,053 kr | 80,53 kr | - |
| 100 - 240 | 7,661 kr | 76,61 kr | 4% |
| 250 - 490 | 7,078 kr | 70,78 kr | 12% |
| 500 - 990 | 6,518 kr | 65,18 kr | 19% |
| 1000 + | 6,294 kr | 62,94 kr | 21% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 264-877
- Tillv. art.nr:
- HP8ME5TB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N, Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 8.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | HP8K | |
| Kapseltyp | HSOP-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 273mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 19.7nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 2W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel (Nch+Pch) | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N, Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie HP8K | ||
Kapseltyp HSOP-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 273mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 19.7nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 2W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dubbel (Nch+Pch) | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ROHMs effekt-MOSFET har en dubbel N-kanalkonfiguration med en nominell spänning på 100 V och en strömkapacitet på 8,5 A. Utformad i ett HSOP8-paket och erbjuder låg påslagningsresistans.
Låg på-resistans
Litet ytmonterat paket (HSOP8)
Blyfri plätering och RoHS-kompatibel
Halogenfri
Relaterade länkar
- ROHM 2 N Kanal Nch + Nch, MOSFET, 24 A 100 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8K
- ROHM 2 Typ P, Typ N Kanal Dubbel (Nch+Pch), MOSFET, 16.5 A 40 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8
- ROHM 2 N Kanal Nch + Nch, MOSFET, 24 A 40 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8
- ROHM 2 N Kanal, MOSFET, 17 A 100 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8K
- ROHM Dubbel N Kanal, MOSFET, 8.5 A 100 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8KE5
- ROHM 2 Typ P Kanal Pch + Pch, MOSFET, 1 A 100 V Förbättring, 8 Ben, HUML2020L8, UT6
- ROHM 2 Typ P, Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 43 A 80 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, RS1