ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 18 A 80 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, RQ3N060AT
- RS-artikelnummer:
- 331-689
- Tillv. art.nr:
- RQ3N060ATTB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 10 enheter)*
76,94 kr
(exkl. moms)
96,18 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 100 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 7,694 kr | 76,94 kr |
| 100 - 240 | 7,314 kr | 73,14 kr |
| 250 - 490 | 6,776 kr | 67,76 kr |
| 500 - 990 | 6,238 kr | 62,38 kr |
| 1000 + | 6,003 kr | 60,03 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 331-689
- Tillv. art.nr:
- RQ3N060ATTB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 18A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Kapseltyp | HSOP-8 | |
| Serie | RQ3N060AT | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 52mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 20W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 50nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 18A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Kapseltyp HSOP-8 | ||
Serie RQ3N060AT | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 52mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 20W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 50nC | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ROHM Power MOSFET är en MOSFET med låg påslagningsresistans som är idealisk för omkopplings- och motordrivartillämpningar. Denna effekt-MOSFET levereras i en liten formkapsling med hög effekt.
Blyfri plätering
RoHS-kompatibel
Halogenfria
100 procent Rg- och UIS-testat
Relaterade länkar
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 43 A 80 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, RS1
- ROHM 2 Typ P Kanal, MOSFET, 12.5 A 100 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8J
- ROHM 2 Typ P, Typ N Kanal, MOSFET 60 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8
- ROHM 2 Typ P, Typ N Kanal Dubbel (Nch+Pch), MOSFET 40 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8
- ROHM 2 Typ N, Typ P Kanal Dubbel (Nch+Pch), MOSFET 100 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8K
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 78 A 40 V P, 8 Ben, HSOP
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 135 A 80 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, RS6
- ROHM 2 Typ N Kanal, MOSFET 60 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8