ROHM 2 Typ P Kanal, MOSFET, 12.5 A 100 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8J
- RS-artikelnummer:
- 264-654
- Tillv. art.nr:
- HP8JE5TB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 5 enheter)*
66,75 kr
(exkl. moms)
83,45 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 590 enhet(er) från den 17 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 13,35 kr | 66,75 kr |
| 50 - 95 | 12,678 kr | 63,39 kr |
| 100 - 495 | 11,738 kr | 58,69 kr |
| 500 - 995 | 10,796 kr | 53,98 kr |
| 1000 + | 10,394 kr | 51,97 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 264-654
- Tillv. art.nr:
- HP8JE5TB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 12.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | HSOP-8 | |
| Serie | HP8J | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 127mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 38.0nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 21W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 12.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp HSOP-8 | ||
Serie HP8J | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 127mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 38.0nC | ||
Maximal effektförlust Pd 21W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ROHM Semiconductor är en dubbel P-kanal MOSFET utformad för effektiva omkopplings- och motordrivenheter. Den har låg påslagningsresistans och hög effektförlust, vilket gör den idealisk för högpresterande kretsar. Enheten är inrymd i ett 8-HSOP-paket, vilket säkerställer kompakt och tillförlitlig ytmontering.
RoHS-kompatibel
Högeffektspaket
Blyfri plätering
Halogenfri
Rg- och UIS-testad
Relaterade länkar
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 43 A 80 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, RS1
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 18 A 80 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, RQ3N060AT
- ROHM 2 Typ P, Typ N Kanal, MOSFET 60 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8
- ROHM 2 Typ P, Typ N Kanal Dubbel (Nch+Pch), MOSFET 40 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8
- ROHM 2 Typ N, Typ P Kanal Dubbel (Nch+Pch), MOSFET 100 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8K
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 78 A 40 V P, 8 Ben, HSOP
- ROHM Dubbel N Kanal, Enkla MOSFETs 150 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8KF7H
- ROHM Typ N Kanal, Enkla MOSFETs -40 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, RS6G122CH