ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 43 A 80 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, RS1
- RS-artikelnummer:
- 265-472
- Tillv. art.nr:
- RS1N110ATTB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 10 enheter)*
146,50 kr
(exkl. moms)
183,10 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 110 enhet(er) från den 17 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 14,65 kr | 146,50 kr |
| 100 - 240 | 13,91 kr | 139,10 kr |
| 250 + | 12,891 kr | 128,91 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 265-472
- Tillv. art.nr:
- RS1N110ATTB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 43A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Kapseltyp | HSOP-8 | |
| Serie | RS1 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 21.0mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 135nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 40W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 43A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Kapseltyp HSOP-8 | ||
Serie RS1 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 21.0mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 135nC | ||
Maximal effektförlust Pd 40W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ROHM Power MOSFET har låg påslagningsresistans och är utformad i ett litet formpaket med hög effekt, vilket gör den idealisk för omkopplingstillämpningar och motorstyrningar. Dess kompakta storlek möjliggör effektiv prestanda samtidigt som den optimerar utrymmet i elektroniska konstruktioner.
RoHS-kompatibel
Låg påslagningsresistans
Blyfri plätering
Halogenfria
100 procent Rg- och UIS-testat
Relaterade länkar
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 18 A 80 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, RQ3N060AT
- ROHM 2 Typ P, Typ N Kanal, MOSFET 60 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8
- ROHM 2 Typ P Kanal, MOSFET, 12.5 A 100 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8J
- ROHM 2 Typ P, Typ N Kanal Dubbel (Nch+Pch), MOSFET 40 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8
- ROHM 2 Typ N, Typ P Kanal Dubbel (Nch+Pch), MOSFET 100 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8K
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 78 A 40 V P, 8 Ben, HSOP
- ROHM Dubbel N Kanal, Enkla MOSFETs 150 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8KF7H
- ROHM Typ N Kanal, Enkla MOSFETs -40 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, RS6G122CH