Infineon N Kanal, MOSFET, 90 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

17 875,00 kr

(exkl. moms)

22 350,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 10 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +7,15 kr17 875,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
222-4678
Tillv. art.nr:
IPD90N08S405ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

90A

Maximal källspänning för dränering Vds

80V

Serie

CoolMOS

Kapseltyp

TO-252

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

5.3mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

144W

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

52nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Bredd

6.22mm

Höjd

2.3mm

Längd

6.5mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

"Infineons design av MOSFET-transistorer, även kända som MOSFET-transistorer, står för ""metalloxidhalvledartransistorer med fälteffekt""." MOSFET-transistorer är transistornheter som styrs av en kondensator. "Fälteffekten innebär att de styrs av spänning." Målet med en MOSFET är att styra flödet av strömmen som passerar genom källan till avtappningsterminalerna.

Grön produkt (RoHS-kompatibel)

MSL1 upp till 260 °C topp omsmältning AEC Q101-godkänd

OptiMOSTM – effekt-MOSFET för fordonstillämpningar

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.