Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 1.9 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

8 197,50 kr

(exkl. moms)

10 247,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 07 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +3,279 kr8 197,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
222-4674
Tillv. art.nr:
IPD80R2K8CEATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

1.9A

Maximal källspänning för dränering Vds

80V

Serie

CoolMOS

Kapseltyp

TO-252

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

2.8Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

42W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

12nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

6.73mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

2.41mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon design of MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.

Green Product (RoHS compliant)

MSL1 up to 260°C peak reflow AEC Q101 qualified

OptiMOS™ - power MOSFET for automotive applications

Relaterade länkar