Infineon N Kanal, MOSFET, 1.9 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

8 197,50 kr

(exkl. moms)

10 247,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 20 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +3,279 kr8 197,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
222-4674
Tillv. art.nr:
IPD80R2K8CEATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

1.9A

Maximal källspänning för dränering Vds

80V

Serie

CoolMOS

Kapseltyp

TO-252

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

2.8Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

42W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

12nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

6.73mm

Bredd

6.22mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

2.41mm

Fordonsstandard

Nej

"Infineons design av MOSFET-transistorer, även kända som MOSFET-transistorer, står för ""metalloxidhalvledartransistorer med fälteffekt""." MOSFET-transistorer är transistornheter som styrs av en kondensator. "Fälteffekten innebär att de styrs av spänning." Målet med en MOSFET är att styra flödet av strömmen som passerar genom källan till avtappningsterminalerna.

Grön produkt (RoHS-kompatibel)

MSL1 upp till 260 °C topp omsmältning AEC Q101-godkänd

OptiMOSTM – effekt-MOSFET för fordonstillämpningar

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.