Infineon N Kanal, MOSFET, 90 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 222-4679
- Tillv. art.nr:
- IPD90N08S405ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
157,36 kr
(exkl. moms)
196,70 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 11 390 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 31,472 kr | 157,36 kr |
| 50 - 120 | 29,948 kr | 149,74 kr |
| 125 - 245 | 29,276 kr | 146,38 kr |
| 250 - 495 | 27,126 kr | 135,63 kr |
| 500 + | 25,178 kr | 125,89 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4679
- Tillv. art.nr:
- IPD90N08S405ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 90A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5.3mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 52nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 144W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 6.22mm | |
| Höjd | 2.3mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.5mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 90A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie CoolMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5.3mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 52nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 144W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 6.22mm | ||
Höjd 2.3mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.5mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
"Infineons design av MOSFET-transistorer, även kända som MOSFET-transistorer, står för ""metalloxidhalvledartransistorer med fälteffekt""." MOSFET-transistorer är transistornheter som styrs av en kondensator. "Fälteffekten innebär att de styrs av spänning." Målet med en MOSFET är att styra flödet av strömmen som passerar genom källan till avtappningsterminalerna.
Grön produkt (RoHS-kompatibel)
MSL1 upp till 260 °C topp omsmältning AEC Q101-godkänd
OptiMOSTM – effekt-MOSFET för fordonstillämpningar
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 90 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 90 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 1.9 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 90 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 90 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 90 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, CoolMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 90 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101