Infineon N Kanal, MOSFET, 90 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS AEC-Q101

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

17 095,00 kr

(exkl. moms)

21 370,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 7 500 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +6,838 kr17 095,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
222-4676
Tillv. art.nr:
IPD90N06S404ATMA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

90A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Serie

CoolMOS

Kapseltyp

TO-252

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

3.8mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal effektförlust Pd

150W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

99nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Bredd

6.22mm

Höjd

2.3mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

6.5mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

"Infineons design av MOSFET-transistorer, även kända som MOSFET-transistorer, står för ""metalloxidhalvledartransistorer med fälteffekt""." MOSFET-transistorer är transistornheter som styrs av en kondensator. "Fälteffekten innebär att de styrs av spänning." Målet med en MOSFET är att styra flödet av strömmen som passerar genom källan till avtappningsterminalerna.

Grön produkt (RoHS-kompatibel)

MSL1 upp till 260 °C topp omsmältning AEC Q101-godkänd

OptiMOSTM – effekt-MOSFET för fordonstillämpningar

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.