Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -90 A -40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 258-3870
Tillv. art.nr:: IPD90P04P4L04ATMA2
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -90 A -40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

23 922,50 kr

(exkl. moms)

29 902,50 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

7 500 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
2500 +	9,569 kr	23 922,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 258-3870
Tillv. art.nr:: IPD90P04P4L04ATMA2
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	-90A
	Maximal källspänning för dränering Vds	-40V
	Serie	IPD
	Kapseltyp	TO-252
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	4.30mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal effektförlust Pd	125W
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	135nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	5V
	Framåtriktad spänning Vf	-1V
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Standarder/godkännanden	DIN IEC 68-1, RoHS
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id -90A
	Maximal källspänning för dränering Vds -40V
	Serie IPD
	Kapseltyp TO-252
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 4.30mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal effektförlust Pd 125W
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 135nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 5V
	Framåtriktad spänning Vf -1V
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Standarder/godkännanden DIN IEC 68-1, RoHS
	Fordonsstandard AEC-Q101

Datasheet - IPD90P04P4L04ATMA2

Infineon IPD-serien MOSFET, -40 V maximal drain-källspänning, 125 W maximal effektförlust – IPD90P04P4L04ATMA2

Denna MOSFET är en P-kanalförstärkningsenhet som är utformad för ytmonterad strömomkoppling och styrning i krävande elektroniska system. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är lämplig för tillämpningar med hög strömstyrka där låg ledningsförlust och definierade grindtröskelvärden krävs. Enheten uppfyller erkända miljö- och fordonsbelastningsstandarder för användning i konstruerade monteringar.

Funktioner och fördelar:

• Låg påslagningsresistans minskar ledningsförluster för ökad effektivitet
• Hög kontinuerlig strömkapacitet stöder omkoppling vid kraftig belastning
• 135 nC typisk grindladdning möjliggör kontrollerat omkopplingsbeteende
• 125 W effektförlust möjliggör hållbar effekthantering
• Brett arbetstemperaturområde möjliggör utökad miljötolerans

Användningsområden

• Passar för kraftfördelningsmoduler med hög strömstyrka i fordon
• Idealisk för termiskt krävande industriella strömomvandlare
• Används med gate-drivkretsar som kräver 5 V-kompatibilitet
• Kan användas för ytmonterad strömomkoppling på kortnivå
• Lämplig för RoHS-kompatibla elektroniska fordonsmonteringar

Vilket grinddrivningsspänningsområde är kompatibelt med denna enhet?

Den accepterar en maximal gate-källspänning på 5 V, vilket överensstämmer med vanliga logiknivådrivrutiner.

Hur beter sig enheten vid extrema temperaturer?

Den är specifik för drift från -55 °C upp till 175 °C, vilket möjliggör användning i miljöer med brett temperaturområde.

Vilken förpackning och monteringsmetod tillhandahålls för montering?

Komponenten levereras i en TO‐252-kapsel konfigurerad för ytmontering på kretskort.

Vilka godkännanden och miljöstandarder uppfyller den?

Den uppfyller kraven i DIN IEC 68‐1 och RoHS och uppfyller AEC‐Q101 för fordonsindustrin.

Vilka elektriska gränsvärden bör konstruktörer följa för säker drift?

Enheten är klassad för -40 V drain-source-spänning, -90 A kontinuerlig dräneringsström och en maximal grindladdning på 135 nC.