Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

10 952,50 kr

(exkl. moms)

13 690,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 10 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +4,381 kr10 952,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
222-4665
Tillv. art.nr:
IPD50N06S4L08ATMA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

50A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Serie

OptiMOS

Kapseltyp

TO-252

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

7.8mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

71W

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

49nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

6.5mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

2.3mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineons design av MOSFETs, även kända som MOSFET-transistorer, står för "Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors". MOSFETs är transistorer som styrs av en kondensator. "Field-Effect" betyder att de styrs av spänning. Syftet med en MOSFET är att kontrollera flödet av den ström som passerar från källan till dräneringsterminalerna.

Grön produkt (RoHS-kompatibel)

MSL1 upp till 260°C peak reflow AEC Q101 kvalificerad

OptiMOS™ - kraft-MOSFET för fordonsapplikationer

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.