Infineon N Kanal, MOSFET, 50 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 222-4665
Tillv. art.nr:: IPD50N06S4L08ATMA2
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 50 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

13 580,00 kr

(exkl. moms)

16 975,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

Dessutom levereras 10 000 enhet(er) från den 05 oktober 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
2500 +	5,432 kr	13 580,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 222-4665
Tillv. art.nr:: IPD50N06S4L08ATMA2
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	50A
	Maximal källspänning för dränering Vds	60V
	Kapseltyp	TO-252
	Serie	OptiMOS
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	7.8mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	16V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	49nC
	Maximal effektförlust Pd	71W
	Framåtriktad spänning Vf	1.3V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Bredd	6.22mm
	Standarder/godkännanden	No
	Längd	6.5mm
	Höjd	2.3mm
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 50A
	Maximal källspänning för dränering Vds 60V
	Kapseltyp TO-252
	Serie OptiMOS
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 7.8mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 16V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 49nC
	Maximal effektförlust Pd 71W
	Framåtriktad spänning Vf 1.3V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Bredd 6.22mm
	Standarder/godkännanden No
	Längd 6.5mm
	Höjd 2.3mm
	Fordonsstandard AEC-Q101

Datasheet - IPD50N06S4L08ATMA2

Infineon OptiMOS-serien MOSFET, 60 V maximal drain-källspänning, 50 A maximal kontinuerlig drain-ström – IPD50N06S4L08ATMA2

Denna MOSFET är en ytmonterad N-kanalförstärkningsenhet som är utformad för högströmsomkoppling i krävande driftsförhållanden. Den är avsedd för tillämpningar som kräver robust ledning, måttlig spänningshantering och drift över ett brett temperaturområde som är typiskt för fordons- och industrimiljöer.

Funktioner och fördelar:

• Låg ledningsresistans på 7,8 mΩ för minskade ledningsförluster
• Hög kontinuerlig strömkapacitet på 50 A för omkoppling vid kraftig belastning
• 60 V drain-source-klassning för mellanspänningssystemkompatibilitet
• Maximal effektförlust på 71 W för ökad värmehantering
• Typisk grindladdning 49 nC möjliggör förutsägbart omkopplingsbeteende
• Gate-source-spänningstolerans upp till 16 V för flexibla drivnivåer

Användningsområden

• Lämplig för fordonsströmfördelningsmoduler
• Idealisk för DC/DC-omvandlare i transportsystem
• Används för motordriftsteg som kräver hög ström
• Kan användas för batterihantering och kraftstyrning
• Används vid högeffektsomkoppling på ytmonterade enheter

I vilket temperaturområde kan den fungera?

Den stöder kontinuerlig drift från -55 °C upp till 175 °C.

Vilken kapsling och monteringsstil använder den?

Komponenten levereras i en TO-252-förpackning för ytmontering.

Hur många elektriska anslutningar ger den?

Den erbjuder tre stift för grind-, drain- och källanslutningar.

Vilken är den framspänningskarakteristiken under ledning?

Enheten har en framåtvänd spänning på 1.3 V under ledning.

Vilken fordonskvalificeringsnivå uppfyller den?

Den överensstämmer med AEC-Q101-specifikationen för fordonskvalitet.