Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 105 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 5
- RS-artikelnummer:
- 220-7385
- Tillv. art.nr:
- IPB083N15N5LFATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
152,43 kr
(exkl. moms)
190,538 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 18 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 76,215 kr | 152,43 kr |
| 20 - 48 | 67,87 kr | 135,74 kr |
| 50 - 98 | 63,28 kr | 126,56 kr |
| 100 - 198 | 59,415 kr | 118,83 kr |
| 200 + | 54,77 kr | 109,54 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 220-7385
- Tillv. art.nr:
- IPB083N15N5LFATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET och diod | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 105A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 8.3mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET och diod | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 105A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 8.3mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon OptiMOS Linear FET är ett revolutionerande tillvägagångssätt för att undvika kompromissen mellan på-motstånd (R DS(on)) och linjär lägeskapacitet – drift i mättnadsområdet för en förstärkt läges-MOSFET. Den erbjuder den toppmoderna R DS(on) för en trench-MOSFET tillsammans med det breda säkra arbetsområdet för en klassisk planär MOSFET.
Kombination av låg R DS(on) och brett säkert arbetsområde (SOA)
Hög max. pulsström
Hög kontinuerlig pulsström
Robust linjär drift
Låga ledningsförluster
Högre startström aktiverad för snabbare start och kortare driftstopp
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 105 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 70 A 120 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 170 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 180 A 40 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 120 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 12 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 180 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 80 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3