Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 80 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- RS-artikelnummer:
- 220-7383
- Tillv. art.nr:
- IPB065N10N3GATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
131,60 kr
(exkl. moms)
164,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 860 enhet(er) från den 14 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 26,32 kr | 131,60 kr |
| 10 - 95 | 24,08 kr | 120,40 kr |
| 100 - 245 | 22,266 kr | 111,33 kr |
| 250 - 495 | 20,608 kr | 103,04 kr |
| 500 + | 20,116 kr | 100,58 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 220-7383
- Tillv. art.nr:
- IPB065N10N3GATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET och diod | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 80A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 6.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET och diod | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 80A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 6.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons 100 V OptiMOS effekt-MOSFET erbjuder överlägsna lösningar för högeffektiva SMPS med hög effekttäthet. Jämfört med nästa bästa teknik uppnår denna familj en minskning på 30 % i både R DS(on) och meritfaktor.
Utmärkta omkopplingsegenskaper
Världens lägsta R DS(on)
Mycket låg Q g och Q gd
Utmärkt grindladdning x R DS(on)-produkt (FOM)
Miljövänligt
Bättre effektivitet
Högsta effekttäthet
Färre parallellkoppling krävs
Minsta kortutrymmeförbrukning
Lätta att designa produkter
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 80 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 120 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 180 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 12 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 70 A 120 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 170 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 105 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 5