Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 170 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 5

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

98,11 kr

(exkl. moms)

122,638 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 686 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1849,055 kr98,11 kr
20 - 4843,12 kr86,24 kr
50 - 9840,71 kr81,42 kr
100 - 19837,745 kr75,49 kr
200 +34,83 kr69,66 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
220-7380
Tillv. art.nr:
IPB033N10N5LFATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET och diod

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

170A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

TO-263

Serie

OptiMOS 5

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

3.3mΩ

Kanalläge

Förbättring

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon OptiMOS linear FET is a revolutionary approach to avoid the trade-off between on-state resistance (R DS(on)) and linear mode capability – operation in the saturation region of an enhanced mode MOSFET. It offers the state-of-the-art R DS(on) of a trench MOSFET together with the wide safe operating area of a classic planar MOSFET.

Combination of low R DS(on) and wide safe operating area (SOA)

High max. pulse current

High continuous pulse current

Rugged linear mode operation

Low conduction losses

Higher in-rush current enabled for faster start-up and shorter down time

Relaterade länkar